在通常情況下，GaN呈（）型結構。

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。

最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

多晶硅的生產方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）

可用作硅片的研磨材料是（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）