填空題純金屬的晶格類型主要有(),()和()三種.
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在通常情況下,GaN呈()型結構。
題型:單項選擇題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。
題型:單項選擇題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
題型:單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向()
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
題型:多項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:單項選擇題
多晶硅的生產方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
題型:單項選擇題
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
題型:單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是()
題型:單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
題型:單項選擇題