填空題實際晶體中主要存在三類缺陷,其中點缺陷有()和()等,線缺陷有位錯,面缺陷有亞晶界等。
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雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
題型:單項選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
題型:單項選擇題
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
題型:單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
題型:單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
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題型:單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是()
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原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
題型:單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
題型:單項選擇題