A.實(shí)驗(yàn)的矩形試件尺寸為（150±1）mm×（25±1mm）
B.試件裁取時(shí)應(yīng)距卷材邊緣不少于100mm
C.應(yīng)同時(shí)標(biāo)記卷材的上表面和下表面
D.試件從試樣寬度方向向上均勻的裁取，長(zhǎng)邊在卷材的縱向
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A.SBSPYⅠ3.0mm
B.自粘聚合物改性瀝青防水卷材PYⅠ2.0mm
C.濕鋪防水卷材PⅠ1.5mm
D.自粘聚合物改性瀝青防水卷材PETⅠ1.5mm
A.SBSG，Ⅰ，3.0mm
B.APPPY，Ⅰ，4.0mm
C.自粘聚合物改性瀝青防水卷材PET，Ⅱ，1.5mm
D.濕鋪防水卷材P，Ⅰ，1.5mm
A.SBSGⅠ3.0mm
B.APPPYⅠ4.0mm
C.自粘聚合物改性瀝青防水卷材PETⅡ1.5mm
D.自粘聚合物改性瀝青防水卷材PEⅠ1.5mm
A.JF1
B.FS2
C.JL1
D.FF
A.JF1
B.JS2
C.JS1
D.FF
A.夾具間距為50mm
B.瀝青斷裂延伸率為試件瀝青層出現(xiàn)孔洞、裂口時(shí)的斷裂延伸率
C.取五個(gè)試件的平均值，拉力單位為N/50mm
D.夾具間距為200mm
A.PET
B.PYⅠ
C.PE
D.PYⅡ
A.PET
B.PYⅠ
C.PE
D.PYⅡ
A.聚乙烯膜
B.聚酯膜
C.細(xì)砂
D.無(wú)膜雙面自粘
A.2.0mm
B.3.0mm
C.4.0mm
D.1.5mm
最新試題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
硅片拋光在原理上不可分為（）
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見(jiàn)的是少子陷阱。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。