A.JF1
B.FS2
C.JL1
D.FF
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A.JF1
B.JS2
C.JS1
D.FF
A.夾具間距為50mm
B.瀝青斷裂延伸率為試件瀝青層出現(xiàn)孔洞、裂口時(shí)的斷裂延伸率
C.取五個(gè)試件的平均值，拉力單位為N/50mm
D.夾具間距為200mm
A.PET
B.PYⅠ
C.PE
D.PYⅡ
A.PET
B.PYⅠ
C.PE
D.PYⅡ
A.聚乙烯膜
B.聚酯膜
C.細(xì)砂
D.無(wú)膜雙面自粘
A.2.0mm
B.3.0mm
C.4.0mm
D.1.5mm
A.拉伸性能尺寸（縱向×橫向）100×25（mm），縱橫各5個(gè)
B.耐熱性（縱向×橫向）100×50（mm），3個(gè)
C.低溫柔性（縱向×橫向）150×25（mm），10個(gè)
D.不透水性150×150mm，3個(gè)
A.最大拉力單位為N/50mm，對(duì)應(yīng)的延伸率用百分比表示
B.分別記錄每個(gè)方向5個(gè)試件的拉力值和延伸率，計(jì)算平均值
C.拉力的平均值修約到5N，延伸率修約到1%
D.拉力的平均值修約到1N，延伸率修約到0.1%
A.JF1
B.JL1
C.FF
D.FS2
A.3mm、4mm、5mm厚度卷材彎曲直徑均為50mm
B.3mm、4mm厚度卷材彎曲直徑為30mm，5mm厚度卷材彎曲直徑為50mm
C.3mm厚度卷材彎曲直徑為30mm，4mm、5mm厚度卷材彎曲直徑均為50mm
D.3mm、4mm、5mm厚度卷材彎曲直徑均為30mm
最新試題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門(mén)子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）