A、砼拌合物不離析、不分層
B、延長砼拌合物初凝時間
C、砼拌合物性能滿足施工要求
D、增大砼拌合物表觀密度
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A、宜優(yōu)先采用加熱拌合水的方法提高拌合物溫度
B、應(yīng)先投入骨料和熱水進行攪拌,然后再投入膠凝材料等共同攪拌
C、當骨料不加熱時,拌合水可加熱到60℃以上
D、拌合物的出料溫度不宜超過85℃
A、生產(chǎn)使用的原材料應(yīng)與配合比設(shè)計一致
B、砼拌合物性能應(yīng)滿足施工要求
C、砼強度評定應(yīng)符合設(shè)計要求
D、砼耐久性能應(yīng)符合設(shè)計要求
A、速凝
B、離析
C、泌水
D、蠕動
A、砼拌合物應(yīng)在滿足施工要求的前提下,盡可能采用較小的坍落度
B、泵送高強砼的坍落擴展度不宜小于500mm
C、自密實砼的坍落擴展度不宜小于600mm
D、泵送砼拌合物的坍落度經(jīng)時損失不宜大于30mm/h
A、砼拌合用水必須達到飲用水質(zhì)量標準
B、砼拌合用水不得使用低于5℃的深井水
C、未經(jīng)處理的海水嚴禁用于鋼筋砼和預應(yīng)力砼
D、當骨料具有堿活性時,砼拌合用水不得采用砼企業(yè)生產(chǎn)設(shè)備洗漱水
A、pH值
B、水泥凝結(jié)時間差
C、氯離子含量
D、可溶物含量
A、外加劑應(yīng)與水泥具有良好的適應(yīng)性,其種類和摻量應(yīng)經(jīng)試驗確定
B、外加劑中的氯離子和堿含量應(yīng)滿足砼設(shè)計要求
C、大體積砼宜采用緩凝劑或緩凝減水劑
D、宜采用液態(tài)外加劑
A、砼宜采用硅酸鹽和普通硅酸鹽水泥
B、礦物摻合料的種類和摻量應(yīng)經(jīng)試驗確定
C、不得同時摻用兩種或兩種以上的礦物摻合料
D、宜與高效減水劑同時使用
A、二氧化硅含量
B、比表面積
C、游離氧化鈣含量
D、三氧化硫含量
A、爐渣
B、硅灰
C、磨細石灰石粉
D、?;郀t礦渣粉
最新試題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
下列哪個不是單晶常用的晶向()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。