A.照射場(chǎng)越大，散射比越大
B.當(dāng)照射場(chǎng)直徑超過50mm后，散射比隨照射場(chǎng)的增大而減小
C.當(dāng)照射場(chǎng)較小時(shí)，散射比隨照射場(chǎng)的增大而增大
D.用極小的照射場(chǎng)透照時(shí)，照射場(chǎng)大小對(duì)散射比幾乎沒影響
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A.原子序數(shù)小
B.原子序數(shù)大
C.耐高溫
D.不耐高溫
A.對(duì)稱型
B.非對(duì)稱型
C.散射型
D.繞射型
A.波的衍射增強(qiáng)
B.波的反射強(qiáng)
C.波的衍射減弱
D.缺陷回波很低
A.寬束射線
B.窄束射線
C.多色射線
D.單色射線
A.定影時(shí)間
B.定影配方
C.定影溫度
D.定影時(shí)的攪拌
A.變形
B.斷裂
C.扭曲
D.拉伸
A.源脫落
B.源卡殼
C.齒輪損壞
D.輸源管接頭連接不良
A.干式顯像
B.非水基濕式顯像
C.濕式顯像
D.自顯象
A.顯像劑粉是吸附質(zhì)
B.顯像劑粉是吸附劑
C.滲透劑是吸附質(zhì)
D.滲透劑是吸附劑
A.測(cè)量底片反差
B.測(cè)量底片上焊縫黑度
C.測(cè)量熱影響區(qū)黑度
D.測(cè)定底片黑度是否滿足標(biāo)準(zhǔn)要求
最新試題
軟X 射線管選用鉬作陽極靶，鉬靶和鎢靶比較，（）。
探傷儀面板上負(fù)責(zé)掃描電路的控制旋鈕有（）。
屬于γ射線探傷設(shè)備的操作故障有（）。
滲透檢測(cè)通常在（）前進(jìn)行，表面處理后局部加工時(shí)需再次檢測(cè)。
超聲場(chǎng)中波源軸線上任一點(diǎn)聲壓的幅值與下列（）等因素有關(guān)。
當(dāng)障礙物尺寸Df< < 波長(zhǎng)λ時(shí)，會(huì)出現(xiàn)以下（）等現(xiàn)象。
磁性成像可分為磁場(chǎng)成像和磁性成像，對(duì)其描述正確的有（）。
磁粉檢測(cè)用的黑光燈發(fā)出的光包含有（），而把不需要的光線用濾光片過濾掉。
底片靈敏度的檢查內(nèi)容包括像質(zhì)計(jì)（）要達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的要求。
標(biāo)準(zhǔn)試塊具有規(guī)定的（），這是標(biāo)準(zhǔn)試塊的基本要求。