單項(xiàng)選擇題直接接觸法探傷可以使用()。

A、直探頭
B、斜探頭
C、雙晶探頭
D、以上都可以


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1.單項(xiàng)選擇題下列()晶片發(fā)射縱波的近場(chǎng)區(qū)最長(zhǎng)。

A、1MHzφ14mm
B、2.5MHzφ14mm
C、1MHzφ20mm
D、25MHzφ30mm

2.單項(xiàng)選擇題以下()1MHz探頭通常具有最佳的時(shí)間或垂直距離的分辨力。

A、無(wú)背襯石英探頭
B、帶酚醛樹(shù)脂背襯的石英探頭
C、帶酚醛樹(shù)脂背襯的鈦酸鋇探頭
D、帶環(huán)氧樹(shù)脂背襯的硫酸鋰探頭

3.單項(xiàng)選擇題2.5PB20Z表示()。

A、頻率為2.5MHz
B、圓晶片直徑為20㎜
C、晶片材料為鈦酸鋇陶瓷
D、以上都對(duì)

4.單項(xiàng)選擇題A型掃描顯示探傷儀主要由()組成。

A、電源電路、同步電路
B、發(fā)射電路、時(shí)基掃描電路
C、接收電路、顯示電路
D、以上都是

5.單項(xiàng)選擇題焊縫探傷中探頭角度的選擇主要依據(jù)()。

A、探測(cè)頻率
B、缺陷方向
C、缺陷部位
D、鋼板的厚度

6.單項(xiàng)選擇題()g33較大可獲得較高的接收靈敏度。

A、機(jī)電耦合系數(shù)
B、壓電應(yīng)變常數(shù)
C、壓電電壓常數(shù)
D、機(jī)械品質(zhì)因子

7.單項(xiàng)選擇題()d33較大,可獲得較高的發(fā)射靈敏度。

A、機(jī)電耦合系數(shù)
B、壓電應(yīng)變常數(shù)
C、機(jī)械品質(zhì)因子
D、壓電電壓常數(shù)

8.單項(xiàng)選擇題()Qm較小能獲得較高的分辨力和較小的盲區(qū)。

A、機(jī)電耦合系數(shù)
B、機(jī)械品質(zhì)因子
C、壓電應(yīng)變常數(shù)
D、壓電壓常數(shù)

9.單項(xiàng)選擇題()Kt較大能獲得較高的轉(zhuǎn)換效率。

A、機(jī)電耦合系數(shù)
B、品質(zhì)因素
C、機(jī)械品質(zhì)因子
D、壓電電壓常數(shù)

10.單項(xiàng)選擇題用()表示兩個(gè)擬比聲強(qiáng)的比值,再取以十為底的常用對(duì)數(shù)得到聲強(qiáng)級(jí)。

A、小數(shù)
B、負(fù)數(shù)
C、常數(shù)
D、對(duì)數(shù)

最新試題

()件對(duì)不同類型的檢測(cè)對(duì)象和要求,采用的方式各有不同。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

缺陷檢測(cè)即通常所說(shuō)的渦流探傷主要影響因素包括()、電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、邊條效應(yīng)、提離效應(yīng)等。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

渦流檢測(cè)線圈的互感線圈一般由()構(gòu)成。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

渦流檢測(cè)線圈感應(yīng)和接收材料或零件中感生渦流的再生磁場(chǎng)的傳感器,它是構(gòu)成()系統(tǒng)的重要組成部分,對(duì)于檢測(cè)結(jié)果的好壞起著重要的作用。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

對(duì)于接觸法只須將能使缺陷落在其遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)內(nèi)的縱波直探頭在試件表面移動(dòng),即可獲得缺陷的()所在的位置,從而定出缺陷的平面位置。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

掃描儀器的掃查的間距通常根據(jù)探頭的最小聲束(),保證兩次掃查之間有一定比例的覆蓋。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

渦流檢測(cè)中的對(duì)比試樣的()和材質(zhì)相對(duì)被檢測(cè)產(chǎn)品必須具有代表性。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

隨著渦流檢側(cè)儀器制造技術(shù)的發(fā)展,出現(xiàn)了多種型號(hào)的同時(shí)具備探傷、電導(dǎo)率測(cè)量()測(cè)量功能的通用型儀器。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

各類渦流檢測(cè)儀器的()和結(jié)構(gòu)各不相同。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

無(wú)損探傷檢測(cè)采用的黑光燈和濾光片的作用是使其輻射波長(zhǎng)范圍為()mm,峰值波長(zhǎng)為365mm。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題