單項(xiàng)選擇題2.5PB20Z表示（）。

A、頻率為2.5MHz
B、圓晶片直徑為20㎜
C、晶片材料為鈦酸鋇陶瓷
D、以上都對(duì)


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你可能感興趣的試題

1.單項(xiàng)選擇題A型掃描顯示探傷儀主要由（）組成。

A、電源電路、同步電路
B、發(fā)射電路、時(shí)基掃描電路
C、接收電路、顯示電路
D、以上都是

2.單項(xiàng)選擇題焊縫探傷中探頭角度的選擇主要依據(jù)（）。

A、探測(cè)頻率
B、缺陷方向
C、缺陷部位
D、鋼板的厚度

3.單項(xiàng)選擇題（）g33較大可獲得較高的接收靈敏度。

A、機(jī)電耦合系數(shù)
B、壓電應(yīng)變常數(shù)
C、壓電電壓常數(shù)
D、機(jī)械品質(zhì)因子

4.單項(xiàng)選擇題（）d33較大，可獲得較高的發(fā)射靈敏度。

A、機(jī)電耦合系數(shù)
B、壓電應(yīng)變常數(shù)
C、機(jī)械品質(zhì)因子
D、壓電電壓常數(shù)

5.單項(xiàng)選擇題（）Qm較小能獲得較高的分辨力和較小的盲區(qū)。

A、機(jī)電耦合系數(shù)
B、機(jī)械品質(zhì)因子
C、壓電應(yīng)變常數(shù)
D、壓電壓常數(shù)

6.單項(xiàng)選擇題（）Kt較大能獲得較高的轉(zhuǎn)換效率。

A、機(jī)電耦合系數(shù)
B、品質(zhì)因素
C、機(jī)械品質(zhì)因子
D、壓電電壓常數(shù)

7.單項(xiàng)選擇題用（）表示兩個(gè)擬比聲強(qiáng)的比值，再取以十為底的常用對(duì)數(shù)得到聲強(qiáng)級(jí)。

A、小數(shù)
B、負(fù)數(shù)
C、常數(shù)
D、對(duì)數(shù)

9.單項(xiàng)選擇題檢測(cè)筒狀工件時(shí)選擇K值應(yīng)滿足（）。

A、r/D＜86%時(shí)，用K＝1的探頭
B、r/D≤96%時(shí)，用K＝2的探頭
C、r/D≤97.5%時(shí)，用K＝2.5的探頭
D、以上都對(duì)

10.單項(xiàng)選擇題同一固體材料中縱波聲速大于橫波聲速，橫波聲速大于表面聲速，對(duì)于鋼材來說（）。

A、CL：CS：CR≈1.8：2.0：1
B、CL：CS：CR≈1：1：1
C、CL：CS：CR≈1.8：1.0：0.9
D、CL：CS：CR≈1：2.0：4

最新試題

磁性測(cè)厚技術(shù)包括機(jī)械式和（）兩種測(cè)量方法。

題型：單項(xiàng)選擇題

在遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)，當(dāng)缺陷比聲束截面小時(shí)，缺陷波高與缺陷面積成（）

題型：單項(xiàng)選擇題

隨著渦流檢側(cè)儀器制造技術(shù)的發(fā)展，出現(xiàn)了多種型號(hào)的同時(shí)具備探傷、電導(dǎo)率測(cè)量（）測(cè)量功能的通用型儀器。

題型：單項(xiàng)選擇題

對(duì)于接觸法只須將能使缺陷落在其遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)內(nèi)的縱波直探頭在試件表面移動(dòng)，即可獲得缺陷的（）所在的位置，從而定出缺陷的平面位置。

題型：單項(xiàng)選擇題

當(dāng)波束中心線與缺陷面（）且回波最（）時(shí)，移動(dòng)探頭使波束中心（），回波高度當(dāng)隨之下降。

題型：單項(xiàng)選擇題

各類渦流檢測(cè)儀器的工作原理和（）是相同的。

題型：單項(xiàng)選擇題

采用以（）為橫坐標(biāo)，以平底孔直徑標(biāo)注各當(dāng)量曲線作成實(shí)用AVG曲線。

題型：單項(xiàng)選擇題

根據(jù)檢測(cè)對(duì)象和目的的不同，渦流檢測(cè)儀器一般可分為（）、渦流電導(dǎo)儀和渦流測(cè)厚儀三種。

題型：單項(xiàng)選擇題

渦流檢測(cè)中的對(duì)比試樣的（）和材質(zhì)相對(duì)被檢測(cè)產(chǎn)品必須具有代表性。

題型：單項(xiàng)選擇題

特性是指實(shí)體所特有的性質(zhì)，它反映子實(shí)體滿足需要的（）

題型：單項(xiàng)選擇題