A.MOVR1,R2
B.LDRR1,#0x12345678
C.LDRR1,=0x00000020
D.ADCR1,R2,R3
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.0x00000200
B.0x00000320
C.0x00000020
D.0x00000040
A.MOV
B.AND
C.ADD
D.ORR
A.STRR0,[R1]
B.LDRR0,[R1]
C.STRHR0,[R1]
D.STRBR0,[R1]
A.0x35363738
B.0x36353837
C.0x38373635
D.0x37383536
A.PSP
B.MSP
C.SPSR
D.CPSR
A.ARM處理器的工作狀態(tài)包括ARM狀態(tài)和Thumb狀態(tài)兩種
B.ARM狀態(tài)支持16位指令寬度也支持32位指令寬度
C.Thumb狀態(tài)或Thumb-2狀態(tài)下,代碼密度低于ARM狀態(tài),占用存儲(chǔ)空間變大
D.ARM處理器復(fù)位后自動(dòng)進(jìn)入ARM狀態(tài)
A.ARM處理器采用CISC和RISC相結(jié)合的結(jié)構(gòu)
B.嵌入式處理器都采用哈佛結(jié)構(gòu)
C.ARM處理器具有耗電省、功能強(qiáng)、成本低等特點(diǎn)
D.ARM處理器內(nèi)部的總線標(biāo)準(zhǔn)是PCIExpress
A.IP地址
B.MAC地址
C.有效載荷
D.校驗(yàn)信息
A.0.3
B.0.5
C.1
D.1.5
A.集成電路有小規(guī)模、中規(guī)模、大規(guī)模、超大規(guī)模和極大規(guī)模等多種,嵌入式處理器芯片一般屬于大規(guī)模集成電路
B.集成電路的制造大約需要幾百道工序,工藝復(fù)雜且技術(shù)難度非常高
C.集成電路大多在硅襯底上制作而成,硅襯底是單晶硅錠經(jīng)切割、研磨和拋光而成的圓形薄片
D.集成電路中的電路及電子元件,需反復(fù)交叉使用氧化,光刻,摻雜和互連等工序才能制成
最新試題
與存儲(chǔ)器映像編制方式相比,I/O端口的獨(dú)立編址方式具有()特點(diǎn)。
在外設(shè)接口中,狀態(tài)寄存器的作用是存放()
某微處理器的結(jié)構(gòu)之所以稱(chēng)為超標(biāo)量結(jié)構(gòu),是因?yàn)樵撐⑻幚砥鳎ǎ?/p>
以下對(duì)動(dòng)態(tài)RAM描述正確的是()
嵌入式處理器指令的執(zhí)行周期包括()
計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的四級(jí)存儲(chǔ)器,其存取速度從高到低的順序是()
通常寄存器直接尋址方式下的操作數(shù)就在()中。
Embedded Visual Studio是()
下面不符合嵌入式操作系統(tǒng)特點(diǎn)的是()
以下敘述中,不符合RICS特征的是()