A.MOV
B.AND
C.ADD
D.ORR
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A.STRR0,[R1]
B.LDRR0,[R1]
C.STRHR0,[R1]
D.STRBR0,[R1]
A.0x35363738
B.0x36353837
C.0x38373635
D.0x37383536
A.PSP
B.MSP
C.SPSR
D.CPSR
A.ARM處理器的工作狀態(tài)包括ARM狀態(tài)和Thumb狀態(tài)兩種
B.ARM狀態(tài)支持16位指令寬度也支持32位指令寬度
C.Thumb狀態(tài)或Thumb-2狀態(tài)下,代碼密度低于ARM狀態(tài),占用存儲(chǔ)空間變大
D.ARM處理器復(fù)位后自動(dòng)進(jìn)入ARM狀態(tài)
A.ARM處理器采用CISC和RISC相結(jié)合的結(jié)構(gòu)
B.嵌入式處理器都采用哈佛結(jié)構(gòu)
C.ARM處理器具有耗電省、功能強(qiáng)、成本低等特點(diǎn)
D.ARM處理器內(nèi)部的總線(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)是PCIExpress
A.IP地址
B.MAC地址
C.有效載荷
D.校驗(yàn)信息
A.0.3
B.0.5
C.1
D.1.5
A.集成電路有小規(guī)模、中規(guī)模、大規(guī)模、超大規(guī)模和極大規(guī)模等多種,嵌入式處理器芯片一般屬于大規(guī)模集成電路
B.集成電路的制造大約需要幾百道工序,工藝復(fù)雜且技術(shù)難度非常高
C.集成電路大多在硅襯底上制作而成,硅襯底是單晶硅錠經(jīng)切割、研磨和拋光而成的圓形薄片
D.集成電路中的電路及電子元件,需反復(fù)交叉使用氧化,光刻,摻雜和互連等工序才能制成
A.高端系統(tǒng)、中端系統(tǒng)和低端系統(tǒng)
B.軍用系統(tǒng)、工業(yè)用系統(tǒng)和民用系統(tǒng)
C.硬實(shí)時(shí)系統(tǒng)、準(zhǔn)實(shí)時(shí)系統(tǒng)和非實(shí)時(shí)系統(tǒng)
D.片上系統(tǒng)、微控制器和數(shù)字信號(hào)處理器
A.SoC已經(jīng)成為嵌入式處理器芯片的主流發(fā)展趨勢(shì)
B.它是集成電路加工工藝進(jìn)入到深亞微米時(shí)代的產(chǎn)物
C.片上系統(tǒng)使用單個(gè)芯片進(jìn)行數(shù)據(jù)的采集、轉(zhuǎn)換、存儲(chǔ)和處理,但不支持I/O功能
D.片上系統(tǒng)既能把數(shù)字電路也能把模擬電路集成在單個(gè)芯片上
最新試題
與存儲(chǔ)器映像編制方式相比,I/O端口的獨(dú)立編址方式具有()特點(diǎn)。
微處理器內(nèi)部標(biāo)志寄存器的主要作用是()。
在外設(shè)接口中,狀態(tài)寄存器的作用是存放()
下面關(guān)于嵌入式C的描述,正確的是()
微處理器地址總線(xiàn)寬度為32位,則其內(nèi)部數(shù)據(jù)總線(xiàn)的寬度()
計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中,中斷向量通常是指()
在下列ARM處理器模式中()模式有自己獨(dú)立的R8-R14寄存器。
計(jì)算機(jī)通常用MB(兆字節(jié))作為主存容量的計(jì)量單位,這里1MB等于()字節(jié)。
嵌入式處理器指令的執(zhí)行周期包括()
以下對(duì)動(dòng)態(tài)RAM描述正確的是()