A、1
B、2
C、3
D、4
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A、梯度材料
B、智能材料
C、結(jié)構(gòu)材料
D、功能材料
A、抗壓,抗沖擊,抗拉
B、抗拉,抗壓,抗熱震
C、抗壓,抗熱震,抗彎曲
D、抗折,抗壓,抗拉
A、快凝
B、假凝
C、終凝
D、初凝
A、溶解
B、消化
C、活化
D、降解
A、普通水泥
B、氧化鎂水泥
C、菱苦土水泥
D、氯化鎂水泥
A、一水石膏
B、半水石膏
C、工業(yè)石膏
D、硬石膏膠凝材料
A、耐腐蝕性
B、耐用性
C、抗疲勞性
D、可設(shè)計性
A、靈巧材料
B、智能材料
C、復(fù)合材料
D、梯度材料
A、結(jié)構(gòu)材料
B、功能材料
C、智能材料
D、梯度材料
A、液相
B、水熱
C、還原
D、氧化
最新試題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
可用作硅片的研磨材料是()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()