A、一水石膏
B、半水石膏
C、工業(yè)石膏
D、硬石膏膠凝材料
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A、耐腐蝕性
B、耐用性
C、抗疲勞性
D、可設(shè)計性
A、靈巧材料
B、智能材料
C、復(fù)合材料
D、梯度材料
A、結(jié)構(gòu)材料
B、功能材料
C、智能材料
D、梯度材料
A、液相
B、水熱
C、還原
D、氧化
A、注漿法
B、浸漬法
C、氣相沉積法
D、熱壓法
A、誘導(dǎo)期
B、加速期
C、衰減期
D、穩(wěn)定期
A、色散
B、玻璃的組成
C、溫度的影響
D、波長的影響
A、色散
B、反射
C、吸收
D、透過
A、調(diào)整水泥熟料的礦物組成
B、在水泥中摻混合材
C、提高混凝土致密度
D、提高硬度
A、相變斷裂
B、蠕變斷裂
C、擴展斷裂
D、應(yīng)力斷裂
最新試題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
可用作硅片的研磨材料是（）
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
硅片拋光在原理上不可分為（）
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法