與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）

下列是晶體的是（）。 

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應。

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。