只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產生（）.使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。  

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。