A、晶粒的相對(duì)滑動(dòng)
B、晶格的扭折
C、位錯(cuò)的滑移
D、位錯(cuò)類(lèi)型的改變
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A、增大VK
B、增加淬透性
C、減小其淬透性
D、增大其淬硬性
A.等溫退火
B.完全退火
C.球化退火
D.正火
A、溫度
B、拉力
C、錨具構(gòu)造
D、張拉錨固工藝
A、L
B、S
C、J
D、M
A、錨板
B、夾片
C、連接器
D、墊板
A、夾片錨具
B、鐓頭錨具
C、擠壓錨具
D、錐塞錨具
A、應(yīng)先進(jìn)行錨具的硬度試驗(yàn)
B、應(yīng)在錨板和夾片之間加入潤(rùn)滑劑
C、預(yù)應(yīng)力筋應(yīng)等長(zhǎng)平行，不少于2米
D、正式加載前需要進(jìn)行應(yīng)力調(diào)勻
A、夾片
B、鐓頭
C、錨板
D、鋼絞線(xiàn)
A、中強(qiáng)鋼絲
B、鋼絞線(xiàn)
C、熱處理鋼筋
D、高強(qiáng)鋼絲
A、3%
B、6%
C、8%
D、10%
最新試題
在光線(xiàn)作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱(chēng)（）
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括（）
可用作硅片的研磨材料是（）
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的（）。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。