A.源的活度和能量是常見(jiàn)的輻射探測(cè)目標(biāo)
B.測(cè)量源的位置與遠(yuǎn)近距離可以用在輻射成像等領(lǐng)域上
C.暫時(shí)無(wú)法通過(guò)測(cè)量的信息分析入射粒子的種類
D.可以測(cè)量粒子的飛行時(shí)間
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.HPGe和Ge（Li）用于組成γ譜儀，Ge較高的密度和原子序數(shù)有利于γ射線探測(cè)
B.Si（Li）探測(cè)器可以作低能量的γ射線和X射線測(cè)量
C.Si（Li）探測(cè)器可以作β粒子或其他外部入射的電子的探測(cè)，因?yàn)樗有驍?shù)低，反散射小
D.Si（Li）探測(cè)器也適合測(cè)量高能γ射線
A.電流脈沖寬度約為μs量級(jí)
B.反符合技術(shù)有助于提高探測(cè)器峰康比
C.85立方厘米的高純鍺探測(cè)器的相對(duì)探測(cè)效率約為19%
D.能量線性很好
A.不同原因造成的能量展寬需要平方求和在開(kāi)方，求總體效應(yīng)
B.載流子統(tǒng)計(jì)漲落、漏電流和噪聲均會(huì)造成探測(cè)器能量分辨率變差
C.不同原因造成的能量展寬可以直接相加求總體效應(yīng)
D.載流子由于陷阱效應(yīng)帶來(lái)的漲落可以通過(guò)適當(dāng)提高偏置電壓減小
A.平面型探測(cè)器，吸收位置不同但是輸出信號(hào)基本相同
B.信號(hào)脈沖上升時(shí)間與入射帶電粒子產(chǎn)生電子-空穴對(duì)的位置有關(guān)
C.同軸型探測(cè)器，吸收位置不同但是輸出信號(hào)基本相同
D.輸出電壓脈沖信號(hào)是前沿不變的
A.平面型體積較大
B.同軸型體積較小
C.兩者都不需要考慮空間電荷問(wèn)題
D.對(duì)不同的結(jié)構(gòu)形式，靈敏體積內(nèi)的電場(chǎng)分布不同
A.它需要在低溫下工作
B.它需要在低溫下保存
C.工作時(shí)一般不能達(dá)到全耗盡狀態(tài)
D.不屬于PN結(jié)型探測(cè)器
A.高純鍺探測(cè)器是由Ge單晶制成
B.雜質(zhì)濃度約為105個(gè)原子/cm3
C.因?yàn)榧兌雀?，所以可以有很大的結(jié)區(qū)，即敏感體積
D.耗盡層內(nèi)的電場(chǎng)強(qiáng)度不是一致的
A.鋰漂移探測(cè)器不可以用來(lái)測(cè)量入射粒子的能量
B.Ge（Li）探測(cè)器須保存在低溫下
C.Si（Li）探測(cè)器可在常溫下保存
D.鋰漂移探測(cè)器能量分辨率高于NaI探測(cè)器
A.I區(qū)存在空間電荷
B.I區(qū)為耗盡層，但是電阻率低于106Ω
C.I區(qū)為主要的探測(cè)器敏感區(qū)域
D.因?yàn)榭臻g電荷的存在，平面型結(jié)構(gòu)I區(qū)內(nèi)不是均勻電場(chǎng)
A.Li為施主雜質(zhì)
B.鋰離子是用于漂移成探測(cè)器的唯一可用離子
C.基體用N型半導(dǎo)體
最新試題
同位素中子源不包括哪一種？（）
測(cè)量厚樣品α源，下列說(shuō)法正確的是（）。
下列關(guān)于符合曲線描述錯(cuò)誤的是（）。
對(duì)偶然符合描述正確的是（）。
對(duì)于β射線活度測(cè)量的諸多修正的描述錯(cuò)誤的是（）。
關(guān)于加速器中子源，描述錯(cuò)誤的是（）。
關(guān)于符合的描述，下列說(shuō)法正確的是（）。
測(cè)量能量10keV的γ射線，觀察到了在20keV處有一個(gè)明顯的峰，對(duì)于這些計(jì)數(shù)的分析正確的是（）。
下列對(duì)探測(cè)器本征探測(cè)效率沒(méi)有影響的是（）。
小立體角法是測(cè)量α源活度的手段之一，關(guān)于此方法的描述錯(cuò)誤的是（）。