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單項選擇題下列電路中，不可以實現(xiàn)有源逆變的有（）。

A.三相半波可控整流電路
B.三相橋式全控整流電路
C.單相橋式可控整流電路
D.單相全波可控整流電路外接續(xù)流二極管

1.填空題 在下圖中，（）和（）構(gòu)成降壓斬波電路使直流電動機(jī)電動運行，工作于第1象限；（）和（）構(gòu)成升壓斬波電路，把直流電動機(jī)的動能轉(zhuǎn)變成為電能反饋到電源，使電動機(jī)作再生制動運行，工作于（）象限。

2.填空題電力變換通?？煞譃椋海ǎⅲǎ?、（）和（）。

3.填空題晶閘管串聯(lián)時，給每只管子并聯(lián)相同阻值的電阻R是（）措施。

4.填空題功率因數(shù)由（）和（）這兩個因素共同決定的。

5.填空題（）存在二次擊穿現(xiàn)象，（）存在擎住現(xiàn)象。

6.問答題簡述實現(xiàn)有源逆變的基本條件，并指出至少兩種引起有源逆變失敗的原因。

7.問答題簡述晶閘管導(dǎo)通的條件與關(guān)斷條件。

8.單項選擇題IGBT是一個復(fù)合型的器件，它是（）。

A.GTR驅(qū)動的MOSFET
B.MOSFET驅(qū)動的GTR
C.MOSFET驅(qū)動的晶閘管
D.MOSFET驅(qū)動的GTO

9.單項選擇題已經(jīng)導(dǎo)通的晶閘管的可被關(guān)斷的條件是流過晶閘管的電流（）。

A.減小至維持電流以下
B.減小至擎住電流以下
C.減小至門極觸發(fā)電流以下
D.減小至5A以下

10.單項選擇題為限制功率晶體管的飽和深度，減少存儲時間，桓流驅(qū)動電路經(jīng)常采用（）。

A.du/dt抑制電路
B.抗飽和電路
C.di/dt抑制電路
D.吸收電路