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A.GTR驅(qū)動(dòng)的MOSFET
B.MOSFET驅(qū)動(dòng)的GTR
C.MOSFET驅(qū)動(dòng)的晶閘管
D.MOSFET驅(qū)動(dòng)的GTO
A.減小至維持電流以下
B.減小至擎住電流以下
C.減小至門極觸發(fā)電流以下
D.減小至5A以下
A.du/dt抑制電路
B.抗飽和電路
C.di/dt抑制電路
D.吸收電路
A.AC/AC
B.DC/AC
C.DC/DC
D.AC/DC
A.加快功率晶體管的開通
B.延緩功率晶體管的關(guān)斷
C.加深功率晶體管的飽和深度
D.保護(hù)器件
A.30°~150
B.0°~120°
C.15°~125°
D.0°~150°
對(duì)于單相交交變頻電路如下圖,在t1~t2時(shí)間段內(nèi),P組晶閘管變流裝置與N組晶閘管變流裝置的工作狀態(tài)是()。
A.P組阻斷,N組整流
B.P組阻斷,N組逆變
C.N組阻斷,P組整流
D.N組阻斷,P組逆變
在三相三線交流調(diào)壓電路中,輸出電壓的波形如下圖所示,在t1~t2時(shí)間段內(nèi),有()晶閘管導(dǎo)通。
A.1個(gè)
B.2個(gè)
C.3個(gè)
D.4個(gè)
最新試題
下面哪個(gè)集成元件為四位二進(jìn)制超前進(jìn)位全加器()
全加器的輸入信號(hào)是()
反相比例運(yùn)算,放大倍數(shù)為5,輸入0.2v,輸出為()v。
由兩個(gè)觸發(fā)器組成的時(shí)序電路,所以其工作狀態(tài)應(yīng)為()種。
電壓比較器的功能是,將一個(gè)模擬量輸入電壓,與一個(gè)參考電壓VR進(jìn)行比較,并將比較的結(jié)果輸出,它廣泛應(yīng)用于()等方面。
平衡電阻是保證了集成運(yùn)放兩個(gè)輸入端,靜態(tài)時(shí)外接電阻相等。
3個(gè)JK觸發(fā)器,通過電路設(shè)計(jì),可以接成()進(jìn)制以內(nèi)的,任意進(jìn)制的計(jì)數(shù)器。
異步計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)脈沖加到了最低位觸發(fā)器,而其它各位觸發(fā)器都是,依靠相鄰低位觸發(fā)器輸出的進(jìn)位脈沖,采用逐級(jí)傳遞方式進(jìn)行觸發(fā)。
使用中若IC大于ICM,即使晶體管不損壞,β也會(huì)下降。
本征半導(dǎo)體是(),導(dǎo)電能力弱。