單項選擇題IGBT是一個復合型的器件,它是()。

A.GTR驅動的MOSFET
B.MOSFET驅動的GTR
C.MOSFET驅動的晶閘管
D.MOSFET驅動的GTO


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1.單項選擇題已經(jīng)導通的晶閘管的可被關斷的條件是流過晶閘管的電流()。

A.減小至維持電流以下
B.減小至擎住電流以下
C.減小至門極觸發(fā)電流以下
D.減小至5A以下

2.單項選擇題為限制功率晶體管的飽和深度,減少存儲時間,桓流驅動電路經(jīng)常采用()。

A.du/dt抑制電路
B.抗飽和電路
C.di/dt抑制電路
D.吸收電路

3.單項選擇題直流斬波電路是一種()變換電路。

A.AC/AC
B.DC/AC
C.DC/DC
D.AC/DC

4.單項選擇題桓流驅動電路中加速電容C的作用是()。

A.加快功率晶體管的開通
B.延緩功率晶體管的關斷
C.加深功率晶體管的飽和深度
D.保護器件

5.單項選擇題電阻性負載三相半波可控整流電路中,控制角的范圍是()。

A.30°~150
B.0°~120°
C.15°~125°
D.0°~150°

6.單項選擇題

對于單相交交變頻電路如下圖,在t1~t2時間段內,P組晶閘管變流裝置與N組晶閘管變流裝置的工作狀態(tài)是()。

A.P組阻斷,N組整流
B.P組阻斷,N組逆變
C.N組阻斷,P組整流
D.N組阻斷,P組逆變

8.單項選擇題對于單相交流調壓電路,下面說法錯誤的是()。

A.晶閘管的觸發(fā)角大于電路的功率因素角時,晶閘管的導通角小于180度
B.晶閘管的觸發(fā)角小于電路的功率因素角時,必須加寬脈沖或脈沖列觸發(fā),電路才能正常工作
C.晶閘管的觸發(fā)角小于電路的功率因素角正常工作并達到穩(wěn)態(tài)時,晶閘管的導通角為180度
D.晶閘管的觸發(fā)角等于電路的功率因素角時,晶閘管的導通角不為180度

9.單項選擇題

單相橋式PWM逆變電路如下圖,單極性調制工作時,在電壓的正半周是()。

A.V1與V4導通,V2與V3關斷
B.V1常通,V2常斷,V3與V4交替通斷
C.V1與V4關斷,V2與V3導通
D.V1常斷,V2常通,V3與V4交替通斷

最新試題

3個JK觸發(fā)器,通過電路設計,可以接成()進制以內的,任意進制的計數(shù)器。

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9個JK觸發(fā)器,通過電路設計,可以接成()進制以內的,任意進制的計數(shù)器。

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將任意一個無效狀態(tài)代入狀態(tài)方程里,它總能進入到這個循環(huán)狀態(tài),那么也就是說明,這個電路具有自起功能。

題型:判斷題