A.均方根偏差可以為負(fù)數(shù)
B.均方根偏差越大,則相對(duì)均方根偏差也必然越大
C.均方根偏差與相對(duì)均方根偏差在實(shí)際測(cè)量中是一個(gè)意思
D.相對(duì)均方根偏差越小,則測(cè)量越精確
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.二者都是常用的統(tǒng)計(jì)參數(shù)
B.對(duì)于一個(gè)隨機(jī)變量而言,它的數(shù)學(xué)期望、方差的量綱是不同的
C.實(shí)驗(yàn)次數(shù)有限時(shí),算術(shù)平均值等于數(shù)學(xué)期望
D.方差描述的是隨機(jī)變量偏離均值的程度
A.可以近似為指數(shù)衰減過(guò)程
B.會(huì)有一定的最大射程
C.半衰減厚度就是此時(shí)的平均自由程
D.水、冰、水蒸氣的線性衰減系數(shù)相同
A.反散射峰的產(chǎn)生原因就是康普頓效應(yīng)
B.康普頓截面與介質(zhì)原子電荷量的2次方成正比
C.散射光子的能量是連續(xù)的,但是反沖電子的能量不連續(xù)
D.如果γ射線與探測(cè)器外的物質(zhì)發(fā)生了康普頓效應(yīng),則不可能探測(cè)到這個(gè)γ光子的信息
A.電子對(duì)效應(yīng)
B.光電效應(yīng)
C.康普頓效應(yīng)
D.湯姆遜散射
A.對(duì)同種材料,入射電子能量越低,反散射越嚴(yán)重
B.對(duì)同樣能量的入射電子,原子序數(shù)越高的材料,反散射越嚴(yán)重
C.對(duì)放射源而言,利用反散射可以提高β源的產(chǎn)額
D.為避免反散射造成的測(cè)量偏差,需要用高Z材料制作入射窗
A.射程近似服從指數(shù)衰減規(guī)律在所有情況下都可成立
B.鋁對(duì)于β粒子的質(zhì)量吸收系數(shù)與β粒子的最大能量有關(guān)
C.介質(zhì)的質(zhì)量厚度與厚度不是一個(gè)意思
D.只有在介質(zhì)厚度遠(yuǎn)小于最大射程的時(shí)候,才能用指數(shù)衰減規(guī)律計(jì)算
A.相比于重帶電粒子,快電子屬于弱電離粒子
B.輻射損失率與快電子的能量成正比
C.輻射損失率與介質(zhì)材料種類(lèi)有關(guān),與介質(zhì)的密度無(wú)關(guān)
D.為了盡可能屏蔽β射線,需要用輕Z材料阻擋
A.需要考慮輻射損失,但是不需要計(jì)算電離損失
B.同樣有合適的Bethe公式幫助計(jì)算電離損失
C.快電子不需要考慮相對(duì)論效應(yīng)
D.快電子的Bethe公式與重帶電粒子的Bethe完全一致
A.二者都有一定的分布
B.能量損失的隨機(jī)性造成了這種效果
C.同樣能量、同樣入射方向的重帶電粒子不會(huì)出現(xiàn)射程歧離
D.單能粒子穿過(guò)一定厚度的物質(zhì)后,能量將出現(xiàn)離散
A.10cm
B.20cm
C.5cm
D.7.07cm
最新試題
同位素中子源不包括哪一種?()
關(guān)于符合的描述,下列說(shuō)法正確的是()。
吸收和散射對(duì)探測(cè)器活度測(cè)量也有影響,下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是()。
下列哪項(xiàng)不屬于中子探測(cè)方法?()
關(guān)于延遲符合,下列描述錯(cuò)誤的是()。
下列關(guān)于符合曲線描述錯(cuò)誤的是()。
關(guān)于自發(fā)裂變中子源的描述正確的是()。
改變下列哪項(xiàng)不會(huì)對(duì)活度探測(cè)產(chǎn)生明顯影響?()
測(cè)量厚樣品α源,下列說(shuō)法正確的是()。
測(cè)量活度有相對(duì)法與絕對(duì)法,下列描述錯(cuò)誤的是()。