A.充電電流
B.電解電流
C.殘余電流
D.遷移電流
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.與汞柱高度h的平方根成正比
B.與汞柱壓力p的平方成正比
C.與汞柱壓力p的平方成反比
D.與擴(kuò)散系數(shù)D的平方成正比
A.極限擴(kuò)散電流是個常數(shù)
B.極限擴(kuò)散電流與被測物質(zhì)的濃度成正比
C.擴(kuò)散電流與被測物質(zhì)的濃度成正比
D.峰電位φp(V)是與被測物質(zhì)的半波電位有關(guān)的常數(shù)
A.任一物質(zhì)的極譜波的半波電位是個常數(shù)
B.只有可逆極譜波的半波電位是個常數(shù)
C.只有不可逆極譜波的半波電位是個常數(shù)
D.任一物質(zhì)的極譜波的極限擴(kuò)散電流是個常數(shù)
A.電極反應(yīng)適用能斯特公式
B.擴(kuò)散速度比電極反應(yīng)速度小
C.電極反應(yīng)不表現(xiàn)出明顯的過電位
D.表現(xiàn)出明顯的過電位,存在著電化學(xué)極化,不能間單應(yīng)用能斯特公式
A.電極反應(yīng)適用能斯特公式
B.擴(kuò)散速度比電極反應(yīng)速度大
C.電極反應(yīng)表現(xiàn)出明顯的過電位
D.有電化學(xué)極化
A.極譜波的極限擴(kuò)散電流id
B.極譜波的擴(kuò)散電流i
C.極譜波的峰值電位φ
D.當(dāng)組分和溫度一定時(shí),每一種物質(zhì)的半波電位φ1/2是個定值
A.扣除殘余電流的極限擴(kuò)散電流id或平均極限電流6/7imax與被測物質(zhì)的濃度成正比
B.擴(kuò)散電流i與被測物質(zhì)的濃度成正比
C.半波電位φ1/2與被測物質(zhì)的濃度成反比
D.極限擴(kuò)散電流id與被測物質(zhì)的電極表面濃度C0成正比
A.一種特殊方式的電解方法
B.由液態(tài)工作電極(如滴汞電極)與參比電極組成電解池,電解被測物質(zhì)的稀溶液
C.由固態(tài)工作電極(如懸汞滴,鉑電極)與參比電極組成電解池,電解被測物質(zhì)的稀溶液
D.由固態(tài)工作電極(如鉑電極)與參比電極組成電池,測定試樣物質(zhì)稀溶液的電位
A.一種特殊方式的電解方法
B.由液態(tài)工作電極(如滴汞電極)與參比電極組成電解池,電解被測物質(zhì)的稀溶液
C.由固態(tài)工作電極(如懸汞滴,鉑電極)與參比電極組成電解池,電解被測物質(zhì)的稀溶液
D.由液態(tài)工作電極(如滴汞電極)與參比電極組成電池,測定試樣物質(zhì)稀溶液的電位
A.一種特殊方式的電解方法
B.由小面積的工作電極與參比電極組成電解池,電解被測物質(zhì)的稀溶液
C.由大面積的工作電極與參比電極組成電解池,電解被測物質(zhì)的稀溶液
D.由工作電極與參比電極組成電池,測定試樣物質(zhì)稀溶液的電位
最新試題
空氣-Ar-ICP的缺點(diǎn)是()。
高純鐵中超低碳硫含量的紅外線吸收法測定過程中,陶瓷坩堝拆裝后即可立即使用,無需任何預(yù)處理。
玻璃熔融-X熒光光譜法,目前大量應(yīng)用于鐵合金中主次元素的測定,含量范圍廣,其具有的特點(diǎn)是()。
ICP-AES法測量分析試樣時(shí),所選擇的光譜分析線是()。
紅外吸收碳硫儀中有高、低量程的紅外池,高量程的池體短,相應(yīng)紅外光程短。
X射線熒光光譜分析中,分光晶體對溫度的變化比較敏感,一般要求晶體室溫度變化在()度內(nèi)。
玻璃熔融-X熒光光譜法,采用的熔融法存在缺點(diǎn)是()。
脈沖加熱熔融熱導(dǎo)法測定鋼鐵中氫含量,分析前應(yīng)用有證標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)進(jìn)行檢查和校準(zhǔn)儀器,所用實(shí)物標(biāo)準(zhǔn)的氫含量應(yīng)略大于被分析試樣的含氫量。
ICP所用的氣動霧化器有三種基本類型,它們分別是()。
原子熒光光譜法制作工作曲線時(shí),相關(guān)系數(shù)應(yīng)至少達(dá)到()。