A、＜C30強度等級的砼卸荷速度取每秒0.3～0.5MPa
B、≥C30且＜C60強度等級的砼卸荷速度取每秒0.5～0.8MPa
C、≥C60強度等級的砼卸荷速度取每秒0.8～1.0MPa
D、A、B、C選項都對
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A、＜C30強度等級的砼加荷速度取每秒0.3～0.5MPa
B、≥C30且＜C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.5～0.8MPa
C、≥C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.8～1.0MPa
D、A、B、C選項都對
A、基準應力為3.3MPa，控制應力為11.0MPa
B、基準應力為3.3MPa，控制應力為33.0MPa
C、基準應力為0.5MPa，控制應力為11.0MPa
D、基準應力為0.5MPa，基準應力為33.0MPa
A、變形測量儀應安裝于試件一側
B、變形測量儀應安裝在垂直于試件承壓面的4條棱上
C、變形測量儀應安裝于試件兩側的中線上并對稱于試件的兩端
D、變形測量儀應安裝于試件兩個承壓面上，承壓面應預先開好安裝槽
A、每次試驗應制備6個試件
B、每次試驗的6個試件，3個用于進行軸心抗壓強度試驗，另3個用于測定彈性模量
C、每次試驗的6個試件都是用于測定彈性模量，因為標準規(guī)定靜力受壓彈性模量試驗是6個試件為一組
D、每次試驗的6個試件，1個用于進行軸心抗壓強度試驗，另5個用于測定彈性模量
A、小于C60強度等級的100×100×300mm棱柱體試件為1.05
B、小于C60強度等級的100×100×300mm棱柱體試件為0.95
C、小于C60強度等級的200×200×400mm棱柱體試件為0.95
D、小于C60強度等級的200×200×400mm棱柱體試件為1.05
A、11.9MPa
B、21.1MPa
C、47.5MPa
D、45.1MPa
A、同組3個試件測值中，最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的15%時，該組試件的試驗結果無效。
B、不總是能把同組3個試件測值的平均值作為該組試件的抗壓強度值。
C、同組3個試件測值中，若出現(xiàn)最大值或最小值與中間值的差值超過中間值的15%，則該組試件的試驗結果無效。
D、同組3個試件測值中，最大值或最小值只要有1個且僅有1個與中間值的差值超過中間值的15%，就要把最大值和最小值一并舍除。
A、＜C30強度等級的砼加荷速度取每秒12.0～20.0kN
B、≥C30且＜C60強度等級的砼加荷速度取每秒20.0～32.0kN
C、≥C60強度等級的砼加荷速度取每秒32.0～40.0kN
D、C25級砼加荷速度取每秒0.3～0.5MPa
A、＜C30強度等級的砼加荷速度取每秒0.3～0.5MPa
B、≥C30且＜C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.5～0.8MPa
C、≥C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.8～1.0MPa
D、A、B、C選項都對
A、小于C60強度等級的100×100×100mm立方體試件為0.95
B、小于C60強度等級的200×200×200mm立方體試件為1.05
C、小于C60強度等級的Φ100×200圓柱體試件為0.95
D、不小于C60強度等級的砼應由試驗確定
最新試題
硅片拋光在原理上不可分為（）
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）