A.并不固定
B.隨管電壓變化
C.隨管電壓的增高而減小
D.以上都是
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A.康普頓效應(yīng)
B.電子對(duì)生成
C.光電效應(yīng)
D.吸收
A.隨作用物質(zhì)的原子序數(shù)增加而增加
B.隨作用物質(zhì)的原子序數(shù)增加而降低
C.隨作用物質(zhì)的原子序數(shù)減低而增加
D.隨輻射線的強(qiáng)度降低而增加
A.10KeV-500KeV
B.100KeV-10Mev
C.1.02MeV以上
D.10KeV以下
A.10KeV-500KeV
B.100KeV-10MeV
C.1.02Mev
D.10KeV以上
A.使受測(cè)試件發(fā)射電子
B.射線受散射影響底片品質(zhì)
C.增加安全顧慮
D.以上都是
A.hv小于εj
B.hv大于εj
C.hv遠(yuǎn)大于εj
D.hv大于1.02Mev
A.能量為0.2MeV的單能射線
B.能量高于0.2MeV的所有射線成分
C.最大能量為0.2MeV的白色X射線束
D.平均能量為0.2MeV的X射線
A.10
B.20
C.30
D.40
最新試題
下列對(duì)耦合劑應(yīng)該具有的特點(diǎn)的描述,不正確的一項(xiàng)是()
二次波檢測(cè)是一種特殊的檢測(cè)工藝,以下關(guān)于二次波檢測(cè)的做敘述,哪一條是錯(cuò)誤的()
在筒身外壁做曲面周向探傷時(shí)(r、R為簡(jiǎn)體的內(nèi)、外徑),斜探頭(β為折射角)的臨界角應(yīng)滿足()
最容易發(fā)生光電效應(yīng)的射線能量為()
以下哪一種措施不能減小上表面盲區(qū)的影響()
調(diào)節(jié)掃描速度時(shí),應(yīng)使()同時(shí)對(duì)準(zhǔn)相應(yīng)的水平刻度值。
底片清晰度和膠片與被照件貼緊程度的關(guān)系是()
以下試塊中,能用于測(cè)定縱波直探頭分辨力的是()
對(duì)軸類鋼制鍛件,用2.5P14的直探頭,在圓周面上用底波作基準(zhǔn)反射而進(jìn)行靈敏度調(diào)整時(shí),該軸鍛件的直徑至少應(yīng)大于()
使用變型波檢測(cè)的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是()