A.干法探傷
B.濕法探傷
C.渦流探傷
D.以上都不對(duì)
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A.縱向磁場(chǎng)
B.環(huán)形磁場(chǎng)
C.交變磁場(chǎng)
D.螺旋形磁場(chǎng)
A.適應(yīng)各種工件的磁特性
B.適應(yīng)各種磁化電流要求
C.適應(yīng)各種顏色工件表面,以提高對(duì)比度
D.適應(yīng)各種工件的磁化規(guī)范
A.周向磁化
B.縱向磁化
C.一樣有害
D.以上都對(duì)
A.0.2~0.5s
B.0.5~1.0s
C.0.5~0.7s
D.0.5~1.2s
A.1~9
B.1~5
C.10~15
D.8~15
A.1:1~1:3
B.2:1~1:3
C.1:3~1:3
D.1:1~1:8
A.1.2~3.0
B.0.3~0.6
C.0.1~0.6
D.0.1~1.6
A.1.2~3.0
B.0.3~0.5
C.0.1~0.5
D.0.1~1.5
A.10~30
B.20~30
C.15~30
D.15~40
A.逐個(gè)
B.隨機(jī)抽查,抽查比例應(yīng)不少于當(dāng)日探傷工作量的1∕3
C.隨機(jī)抽查,抽查比例應(yīng)不少于當(dāng)日探傷工作量的1∕4
D.隨機(jī)抽查,抽查比例應(yīng)不少于當(dāng)日探傷工作量的1∕2
最新試題
最容易發(fā)生康普頓效應(yīng)的射線能量為()
以下試塊中,能用于測(cè)定縱波直探頭分辨力的是()
當(dāng)射線穿透任何一物體時(shí),部分被物體吸收,部分則穿透該物體,還有一部分則被構(gòu)成該物的原子內(nèi)電子向各方面散射,此散射為()
某超聲波探頭,壓電晶片的頻率常數(shù)Nt=1500m/s晶片厚度為0.3mm,則該探頭工作頻率為()
一般認(rèn)為表面波探測(cè)的有效深度約為()
使用變型波檢測(cè)的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是()
發(fā)生康普頓散射的條件是()
若評(píng)片燈亮度增為原來(lái)的兩倍,則底片透光度(It/I0)變?yōu)樵瓉?lái)的()
二次波檢測(cè)是一種特殊的檢測(cè)工藝,以下關(guān)于二次波檢測(cè)的做敘述,哪一條是錯(cuò)誤的()
對(duì)于平行于檢測(cè)面的缺陷,一般采用()檢測(cè)。