A.≤2KΩ
B.≥2KΩ
C.≤700Ω
D.≥700Ω
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A.施密特觸發(fā)器
B.單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
C.多諧振蕩器
D.集成定時(shí)器
A.施密特觸發(fā)器
B.單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
C.多諧振蕩器
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A.施密特觸發(fā)器
B.單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
C.多諧振蕩器
D.集成定時(shí)器
A.異步清零
B.輸入使能
C.CP
D.輸出使能
A.上升沿
B.下降沿
C.高電平
D.低電平
A.上升沿
B.下降沿
C.高電平
D.低電平
A.上升(下降)
B.高電平
C.低電平
D.無法確定
最新試題
兩個(gè)與非門構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器,當(dāng)Q=1、Q=0時(shí),兩個(gè)輸入信號(hào)R=1和S=1。觸發(fā)器的輸出Q會(huì)()。
判斷如下VHDL的操作是否正確,如不正確,請改正。字符a和b的數(shù)據(jù)類型是BIT,c是INTEGER,執(zhí)行c<=a+b。
采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為()
用1M×4的DRAM芯片通過()擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
()在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用,其中一個(gè)重要用途是構(gòu)成數(shù)據(jù)總線。
TTL與非門輸出低電平的參數(shù)規(guī)范值是()
27系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
根據(jù)什么判斷簡單電路中的險(xiǎn)象存在?
電可擦除的PROM器件是()