在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）