A、剪切強(qiáng)度
B、抗壓強(qiáng)度
C、抗拉強(qiáng)度
D、抗折強(qiáng)度
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A、游離氧化鎂
B、游離氧化鈣
C、石膏的摻入量
D、氧化鋁
A、假凝
B、終凝
C、快凝
D、緩凝
A、結(jié)晶水
B、外加水
C、吸附水
D、自由水
A、固液氣三相
B、固液兩相
C、固氣兩相
D、液氣兩相
A、初始水解期
B、鈣礬石形成期
C、C3S水化期
D、結(jié)構(gòu)形成和發(fā)展期
A、抗凍性
B、堿-集料反應(yīng)
C、抗炭化性
D、徐變性
A、穩(wěn)定性
B、可塑性
C、和易性
D、易密性
A.正方
B.立方
C.三斜
D.等軸
A、慢冷
B、室溫冷卻
C、急冷
D、先慢冷再急冷
A、堆積密度大
B、觸變性適當(dāng)
C、含水率和水分的均勻性好
D、流動(dòng)性好
最新試題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；