A.3
B.4
C.5
D.6
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A.CH4
B.CH3F
C.CH3Cl
D.CH3Br
A.F9
B.C6
C.O8
D.S16
A.甲基質(zhì)子是單峰,次甲基質(zhì)子是七重峰,醇質(zhì)子是單峰
B.甲某質(zhì)子是二重峰,次甲基質(zhì)子是七重峰,酵質(zhì)子是單峰
C.甲某質(zhì)子是四重蜂,次甲基質(zhì)子是十四重峰,酵質(zhì)子是單峰
D.甲某質(zhì)子是四重峰,次甲基質(zhì)子是十四重峰,酵質(zhì)子是二重峰
A.五組峰(6:1:2:1:6)
B.三組峰(2:6:2)
C.三組峰(6:1:1)
D.四組峰(6:6:2:2)
A.大,因為磁的各向異性效應,使乙烯質(zhì)子處在屏蔽區(qū),乙炔質(zhì)子處在去屏蔽區(qū)
B.大,因為磁的各向異性效應,使乙烯質(zhì)子處在去屏蔽區(qū),乙炔質(zhì)子處在屏蔽區(qū)
C.小,因為磁的各向異性效應,使乙烯質(zhì)子處在去屏蔽區(qū),乙炔質(zhì)子處在屏蔽區(qū)
D.小,因為磁的各向異性效應,使乙烯質(zhì)子處在屏蔽區(qū),乙炔質(zhì)子處在去屏蔽區(qū)
A.掃場下的高場和掃頻下的高頻,較小的化學位移值(δ)
B.掃場下的高場和掃頻下的低頻,較小的化學位移值(δ)
C.掃場下的低場和掃頻下的高頻,較大的化學位移值(δ)
D.掃場下的低場和掃頻下的低頻,較大的化學位移值(δ)
A.吸收電磁輻射的頻率區(qū)域不同
B.檢測信號的方式不同
C.記錄譜圖的方式不同
D.樣品必須在強磁場中測定
A.N7
B.Si14
C.P15
D.S16
A.不同質(zhì)子種類數(shù)
B.同類質(zhì)子個數(shù)
C.化合物中雙鍵的個數(shù)與位置
D.相鄰碳原子上質(zhì)子的個數(shù)
A.(CH3)2CHCOCH3
B.(CH3)3C-CHO
C.CH3CH2CH2COCH3
D.CH3CH2COCH2CH3
最新試題
ICP-AES方法與ICP-MS相比具有的缺點是()。
在高頻感應紅外碳硫分析儀中,可以作為氧化催化劑的試劑有()。
ICP中等離子體環(huán)狀結構形成的原因是()。
ICP光譜干擾包括()。
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判定原子吸收光譜測量元素準確度,必須根據(jù)與分析元素結果相接近的標準樣品測定值。
X射線熒光光譜分析中,分光晶體對溫度的變化比較敏感,一般要求晶體室溫度變化在()度內(nèi)。
鋼鐵中氫含量采用脈沖加熱熔融熱導法測定時,根據(jù)熱導池輸出電流值與氫的濃度關系,從校準曲線上得到氫含量。
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LZ50中氧氮含量的測定,分析儀器需要配備外循環(huán)冷卻水器或自來水源。