A.質荷比
B.波數(shù)
C.化學位移
D.保留值
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A.CH3CH2Cl
B.CH3CH2OH
C.CH3CH3
D.CH3CH(CH3)2
A.3(1H)
B.6(1H)
C.3(3H)
D.6(3H)
A.極譜法
B.色譜法
C.紅外光譜法
D.核磁共振波譜法
A.CH3Br
B.CH4
C.CH3I
D.CH3F
A.沒有弛豫,就不會產(chǎn)生核磁共振
B.譜線寬度與弛豫時間成反比
C.通過弛豫,維持高能態(tài)核的微弱多數(shù)
D.弛豫分為縱向弛豫和橫向弛豫兩種
A.峰的位置
B.峰的裂分
C.峰高
D.積分線高度
A.CH4
B.CH3Br
C.CH3Cl
D.CH3F
A.由于磁的各向異性效應,使得乙烯、乙炔質子都處在屏蔽區(qū)
B.由于磁的各向異性效應,使得乙烯、乙炔質子都處在去屏蔽區(qū)
C、由于磁的各向異性效應,使乙烯質子處在去屏蔽區(qū),乙快質子處在屏蔽區(qū)
D.由于磁的各向異性效應,使乙烯質子處在屏蔽區(qū),乙快質子處在去屏蔽區(qū)
A.化合物中不同質子的種類數(shù)
B.同種類H的數(shù)目
C.相鄰碳上質子的數(shù)目
D.化合物中雙鍵的個數(shù)及位置
A.屏蔽效應較弱,相對化學位移較大,共振峰出現(xiàn)在高場
B.屏蔽效應較強,相對化學位移較小,共振峰出現(xiàn)在高場
C.屏蔽效應較強,相對化學位移較大,共振峰出現(xiàn)在低場
D.屏蔽效應較強,相對化學位移較大,共振峰出現(xiàn)在高場
最新試題
X射線熒光光譜分析中,分光晶體對溫度的變化比較敏感,一般要求晶體室溫度變化在()度內。
紅外吸收碳硫儀中有高、低量程的紅外池,高量程的池體短,相應紅外光程短。
選用ICP-AES儀器,同時可以進行()。
LZ50中氧氮含量的測定,分析儀器需要配備外循環(huán)冷卻水器或自來水源。
ICP-AES法測量分析試樣時,所選擇的光譜分析線是()。
ICP光譜儀中石英炬管清洗時用的酸是()。
原子吸收光譜儀在使用氧化亞氮火焰時,儀器應具備防回火功能。
原子熒光光譜法制作工作曲線時,相關系數(shù)應至少達到()。
空心陰極燈的安裝,可以不考慮燈腳的位置,裝上即可。
X射線熒光光譜玻璃熔片法采用的鉑金坩堝Pt與Au的比例一般是()。