A.CH3CH2Cl
B.CH3CH2OH
C.CH3CH3
D.CH3CH(CH3)2
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A.3(1H)
B.6(1H)
C.3(3H)
D.6(3H)
A.極譜法
B.色譜法
C.紅外光譜法
D.核磁共振波譜法
A.CH3Br
B.CH4
C.CH3I
D.CH3F
A.沒有弛豫,就不會產生核磁共振
B.譜線寬度與弛豫時間成反比
C.通過弛豫,維持高能態(tài)核的微弱多數(shù)
D.弛豫分為縱向弛豫和橫向弛豫兩種
A.峰的位置
B.峰的裂分
C.峰高
D.積分線高度
A.CH4
B.CH3Br
C.CH3Cl
D.CH3F
A.由于磁的各向異性效應,使得乙烯、乙炔質子都處在屏蔽區(qū)
B.由于磁的各向異性效應,使得乙烯、乙炔質子都處在去屏蔽區(qū)
C、由于磁的各向異性效應,使乙烯質子處在去屏蔽區(qū),乙快質子處在屏蔽區(qū)
D.由于磁的各向異性效應,使乙烯質子處在屏蔽區(qū),乙快質子處在去屏蔽區(qū)
A.化合物中不同質子的種類數(shù)
B.同種類H的數(shù)目
C.相鄰碳上質子的數(shù)目
D.化合物中雙鍵的個數(shù)及位置
A.屏蔽效應較弱,相對化學位移較大,共振峰出現(xiàn)在高場
B.屏蔽效應較強,相對化學位移較小,共振峰出現(xiàn)在高場
C.屏蔽效應較強,相對化學位移較大,共振峰出現(xiàn)在低場
D.屏蔽效應較強,相對化學位移較大,共振峰出現(xiàn)在高場
A.掃頻下的高頻,掃場下的高場,化學位移δ值較小
B.掃頻下的高頻,掃場下的低場,化學位移δ值較大
C、掃頻下的低頻,掃場下的高場,化學位移δ值較大
D、掃頻下的低頻,掃場下的高場,化學位移δ值較小
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