A.汞柱高度H
B.溫度
C.溶液組成
D.干擾電流
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A.絡(luò)合劑濃度有關(guān)
B.絡(luò)合物的濃度有關(guān)
C.絡(luò)合劑濃度無關(guān)
D.絡(luò)合物濃度的對(duì)數(shù)值成正比
A.極譜波的極限擴(kuò)散電流id
B.極譜波的擴(kuò)散電流i
C.極譜波的峰值電位φ
D.物質(zhì)的半波電位φ1/2
A.加入電解質(zhì)
B.加入表面活性劑
C.通入惰性氣體
D.用作圖法扣除
A.加入電解質(zhì)
B.加入表面活性劑
C.通惰性氣體
D.用作圖法扣除
A.充電電流
B.電解電流
C.殘余電流
D.遷移電流
A.充電電流
B.電解電流
C.殘余電流
D.遷移電流
A.與汞柱高度h的平方根成正比
B.與汞柱壓力p的平方成正比
C.與汞柱壓力p的平方成反比
D.與擴(kuò)散系數(shù)D的平方成正比
A.極限擴(kuò)散電流是個(gè)常數(shù)
B.極限擴(kuò)散電流與被測(cè)物質(zhì)的濃度成正比
C.擴(kuò)散電流與被測(cè)物質(zhì)的濃度成正比
D.峰電位φp(V)是與被測(cè)物質(zhì)的半波電位有關(guān)的常數(shù)
A.任一物質(zhì)的極譜波的半波電位是個(gè)常數(shù)
B.只有可逆極譜波的半波電位是個(gè)常數(shù)
C.只有不可逆極譜波的半波電位是個(gè)常數(shù)
D.任一物質(zhì)的極譜波的極限擴(kuò)散電流是個(gè)常數(shù)
A.電極反應(yīng)適用能斯特公式
B.擴(kuò)散速度比電極反應(yīng)速度小
C.電極反應(yīng)不表現(xiàn)出明顯的過電位
D.表現(xiàn)出明顯的過電位,存在著電化學(xué)極化,不能間單應(yīng)用能斯特公式
最新試題
玻璃熔融-X熒光光譜法,目前大量應(yīng)用于鐵合金中主次元素的測(cè)定,含量范圍廣,其具有的特點(diǎn)是()。
鋼鐵中以下元素能夠使用紅外線吸收法測(cè)量的是()。
使用CS600測(cè)定純鐵中超低碳硫含量,控制分析空白是關(guān)鍵。
ICP光譜儀中石英炬管清洗時(shí)用的酸是()。
空氣-Ar-ICP的缺點(diǎn)是()。
ICP中等離子體環(huán)狀結(jié)構(gòu)形成的原因是()。
ICP光譜干擾包括()。
脈沖加熱熔融熱導(dǎo)法測(cè)定鋼鐵中氫含量,分析前應(yīng)用有證標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)進(jìn)行檢查和校準(zhǔn)儀器,所用實(shí)物標(biāo)準(zhǔn)的氫含量應(yīng)略大于被分析試樣的含氫量。
選用ICP-AES儀器,同時(shí)可以進(jìn)行()。
X射線熒光光譜分析中,分光晶體對(duì)溫度的變化比較敏感,一般要求晶體室溫度變化在()度內(nèi)。