單項(xiàng)選擇題硬盤磁頭移動(dòng)到數(shù)據(jù)所在磁道的平均時(shí)間是()

A.轉(zhuǎn)速
B.平均尋道時(shí)間
C.CAS等待時(shí)間
D.CPU占用時(shí)間


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2.單項(xiàng)選擇題下列不是硬盤品牌的是()

A.邁拓(Maxtor)
B.戴爾(Dell)
C.希捷(SeagatE.
D.西部數(shù)據(jù)(WD.

4.單項(xiàng)選擇題DDR2內(nèi)存條的針腳數(shù)是()

A.72pin
B.168pin
C.184pin
D.240pin、

5.單項(xiàng)選擇題某內(nèi)存顆粒的標(biāo)號(hào)是HY5PS2G831AMP--Y5,關(guān)于該內(nèi)存條說法不正確的是()

A.容量為2GB
B.有8顆內(nèi)存芯片
C.內(nèi)核為第3代
D.內(nèi)存頻率為667MHz

6.單項(xiàng)選擇題內(nèi)存條中用來保存內(nèi)存速率、容量及內(nèi)存模組廠商等信息的是()

A.PCB
B.內(nèi)存芯片
C.內(nèi)存顆??瘴?br /> D.SPD

8.單項(xiàng)選擇題以下磁盤性能參數(shù)中,衡量硬盤最重要的技術(shù)指標(biāo)是()

A.硬盤轉(zhuǎn)速
B.硬盤容量
C.硬盤接口類型
D.硬盤緩存大小

9.單項(xiàng)選擇題要提高CPU的性能,CPU生產(chǎn)商常采用的方法包括()

A.提高CPU的時(shí)鐘頻率
B.增加Cache的容量
C.采用超線程技術(shù)
D.以上均是

10.單項(xiàng)選擇題關(guān)于CPU的封裝技術(shù),以下說法錯(cuò)誤的是()

A.封裝越薄越好
B.芯片面積于封裝面積之比盡量接近1:1
C.為防止干擾,引腳間的距離應(yīng)盡量遠(yuǎn)些
D.為保證與插槽之間的良好接觸,引腳要盡量長(zhǎng)些

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包過濾防火墻的過濾對(duì)象包括針對(duì)IP、()、()、數(shù)據(jù)包的傳輸方向的過濾。

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