真空中有一載流I=500A的無限長直導線（圖10-84），距該導線1m的A點處的磁感應強度B的大小為（）T。
A.0.6
B.10-4
C.1.0
D.2.4
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半徑R0=0．5m的半球形接地電極，淺埋于電導率為γ=1．91×10-2S／m的土壤中（圖10-82），該半球電極的接地電阻為（）Ω。
A.79.6
B.9.82
C.16.67
D.29.92
A.8.86mA
B.7.02μA
C.3.51μA
D.1.76mA
在平行板電容器中，有兩層導電媒質(zhì)（圖10-81），它們的電導率分別是γ1=1×10-9S／m，γ2=1×10-8S／m，極板面積S=0．66m2，每層介質(zhì)厚度d=0．6cm，則電容器的漏電導G=（）S。
A.10-7
B.4×10-8
C.2×10-7
D.10-8
如圖10-80所示，平行板電容器中填充介質(zhì)的電導率γ=1×10-7S／m，極板面積S=0．6m2，極板間距離d=3cm，則該電容器的漏電阻為（）。
A.0.5MΩ，
B.1.0kΩ
C.1.0MΩ
D.0.5kΩ
如圖10-79所示，一個直徑為1m的球形金屬接地極，深埋于電導率為σ=1．91×10-2S／m的土壤中，該接地極的接地電阻為（）Ω。
A.12.8
B.8.33
C.1.67
D.16.66
如圖10-78所示，一個圓柱形電容器中有兩層同軸圓柱形均勻電介質(zhì)，內(nèi)導體半徑R1=1cm，外導體半徑R3=4cm，內(nèi)層介質(zhì)介電系數(shù)為ε1，厚度為1cm，外層介質(zhì)介電系數(shù)為ε2，厚度為2cm，內(nèi)外層導體間的電位差為1000V（以外導體為參考點）。假如兩層電介質(zhì)內(nèi)最大電場強度相等，則外層2介質(zhì)上的電位差為（）V。
A.333.3
B.666.7
C.500
D.1000
已知圖10-77中電容器極板間的距離為d，極板面積為S，ε1介質(zhì)厚度為d／2，則該電容器的電容應為（）。
A.ε0S／d
B.[（ε0+ε1）／ε0ε1]2S／d
C.[ε0ε1／（ε0+ε1）]2S／d
D.ε1／d
如圖10-76所示，圖中平板電容器的上部空間填充介電系數(shù)為ε0的介質(zhì)，所對應的極板面積為S0，下部介質(zhì)的介電系數(shù)為ε1，所對應的極板面積為S1，極板的間距為d，該電容器的電容量為（）。
A.ε0+ε1）S1／d
B.ε0S0／d+ε1S1／d
C.ε0S0／d
D.ε1S1／d
A.2εS／d
B.εS／d
C.d／2εS
D.d／εs
如圖10-75所不，兩無限大平行帶電平板，它們帶面密度為σ的異號電荷，兩板間填充介電系數(shù)為ε的介質(zhì)。這兩個帶電平板間的電場強度和兩板間的電壓U分別為（）。
A.σ／3ε，σ／2εd
B.σ／ε）eX，σd／ε
C.σ／3ε，σ／3εd
D.σ／2ε）eX，σd／2ε
最新試題
一同軸電纜長1=2m，其芯線導體半徑r1=1cm，鉛皮外殼內(nèi)半徑r2=6cm，導體間絕緣材料的電阻率ρ=1×109Ω*m，當內(nèi)導體與外殼間電壓U0為500V時，絕緣層中漏電流為（）。
如圖10-73所示，給平行板電容器加電壓V0，其極板上所受的電場力為（）。
如下幾種說法，正確的有（）。
如圖10-74所示，真空中有一無限大帶電平板，其上電荷密度為σ，在與其相距x的A點處電場強度為（）。
如圖10-72所示，真空中有一個半徑為a的帶電金屬球，其電荷量為q，帶電球內(nèi)的電場為（）。
在R、L串聯(lián)電路中，激勵信號產(chǎn)生的電流響應（零狀態(tài)響應）iL（t）中（）。
判斷如下幾種說法，錯誤的有（）。
圖10-66所示電路在達到穩(wěn)定狀態(tài)后移動R1上的滑動觸點，該電路將產(chǎn)生過渡過程。這是因為（）。
如圖10-78所示，一個圓柱形電容器中有兩層同軸圓柱形均勻電介質(zhì)，內(nèi)導體半徑R1=1cm，外導體半徑R3=4cm，內(nèi)層介質(zhì)介電系數(shù)為ε1，厚度為1cm，外層介質(zhì)介電系數(shù)為ε2，厚度為2cm，內(nèi)外層導體間的電位差為1000V（以外導體為參考點）。假如兩層電介質(zhì)內(nèi)最大電場強度相等，則外層2介質(zhì)上的電位差為（）V。
圖10-70所示電路的時間常數(shù)τ為（）us。