如圖10-76所示，圖中平板電容器的上部空間填充介電系數(shù)為ε0的介質(zhì)，所對應(yīng)的極板面積為S0，下部介質(zhì)的介電系數(shù)為ε1，所對應(yīng)的極板面積為S1，極板的間距為d，該電容器的電容量為（）。
A.ε0+ε1）S1／d
B.ε0S0／d+ε1S1／d
C.ε0S0／d
D.ε1S1／d
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A.2εS／d
B.εS／d
C.d／2εS
D.d／εs
如圖10-75所不，兩無限大平行帶電平板，它們帶面密度為σ的異號電荷，兩板間填充介電系數(shù)為ε的介質(zhì)。這兩個帶電平板間的電場強(qiáng)度和兩板間的電壓U分別為（）。
A.σ／3ε，σ／2εd
B.σ／ε）eX，σd／ε
C.σ／3ε，σ／3εd
D.σ／2ε）eX，σd／2ε
如圖10-74所示，真空中有一無限大帶電平板，其上電荷密度為σ，在與其相距x的A點(diǎn)處電場強(qiáng)度為（）。
A.σ／2ε0）eX
B.σ／ε0
C.σ／ε0）x2
D.σ／ε0）eX
如圖10-73所示，給平行板電容器加電壓V0，其極板上所受的電場力為（）。
A.
B.εS／D.V0
C.d／εS）V0
D.
A.當(dāng)電場是由多個點(diǎn)電荷激發(fā)產(chǎn)生時，則電場強(qiáng)度的大小是各點(diǎn)電荷單獨(dú)產(chǎn)生的電場強(qiáng)度的代數(shù)和
B.多個點(diǎn)電荷在均勻介質(zhì)中某點(diǎn)產(chǎn)生的電位，是各點(diǎn)電荷單獨(dú)在該點(diǎn)產(chǎn)生的電位的代數(shù)和
C.處于靜電場中的導(dǎo)體，其內(nèi)部電場強(qiáng)度為零，其表面的電場強(qiáng)度垂直于導(dǎo)體表面
D.電場中電位相等的點(diǎn)所構(gòu)成的曲面稱為等位面，等位面與電力線處處正交
A.電流有方向，但它是標(biāo)量，因此電流密度也是標(biāo)量
B.歐姆定律的微分形式δ=γE是反映導(dǎo)體內(nèi)部各點(diǎn)上的電流密度與電場強(qiáng)度的關(guān)系
C.電流密度線（δ線）和電力線（E線）一樣是起始于正電荷，終止于負(fù)電荷
D.導(dǎo)體內(nèi)部維持恒定電流的電場叫做恒定電場，恒定電場是由處于動態(tài)平衡下的恒定電荷產(chǎn)生的
A.0
B.aσ／ε0r）er
C.rσ／4πε0A.er
D.∞
A.4πε0a
B.4πε0／1nR0
C.1／4πε0a
D.4πε0a2
如圖10-72所示，真空中有一個半徑為a的帶電金屬球，其電荷量為q，帶電球外的電場為（）。
A.0
B.
C.
D.∞
A.
B.
C.
D.
最新試題
圖10-65所示電路，當(dāng)開關(guān)s在位置1時已達(dá)穩(wěn)定狀態(tài)，在t=0時刻將開關(guān)s瞬間合到位置2，則在t>0后電流iC（）。
圖10-70所示電路的時間常數(shù)τ為（）us。
在圖10-62所示電路中，開關(guān)S閉合后已達(dá)穩(wěn)定狀態(tài)，在t=0瞬間將開關(guān)S斷開，則i（0+）=（）A。
如圖10-80所示，平行板電容器中填充介質(zhì)的電導(dǎo)率γ=1×10-7S／m，極板面積S=0．6m2，極板間距離d=3cm，則該電容器的漏電阻為（）。
在圖10-67所示電路中，開關(guān)S在位置1的時間常數(shù)為τ1，在位置2的時間常數(shù)為τ2，τ1和τ2的關(guān)系是（）。
已知圖10-77中電容器極板間的距離為d，極板面積為S，ε1介質(zhì)厚度為d／2，則該電容器的電容應(yīng)為（）。
兩個平行帶電平板，每個平板的面積為S，相距d，且d＜＜S，兩板間填充介電系數(shù)為ε的介質(zhì)。這兩個帶電平板間的電容量是（）。
如圖10-72所示，真空中有一個半徑為a的帶電金屬球，其電荷量為q，帶電球內(nèi)的電場為（）。
均勻傳輸線的原參數(shù)：R0=6．5Ω／km，L0=2．29mH／km，C0=5．22×103pF／km，C0=0．5×10-6S／km，則傳輸線在頻率為1000Hz時的傳播速度v+、波長λ分別為（）。
在平行板電容器中，有兩層導(dǎo)電媒質(zhì)（圖10-81），它們的電導(dǎo)率分別是γ1=1×10-9S／m，γ2=1×10-8S／m，極板面積S=0．66m2，每層介質(zhì)厚度d=0．6cm，則電容器的漏電導(dǎo)G=（）S。