A.|ZA|=|ZB|=|ZC|
B.φA=φB=φC
C.ZA=ZB=ZC
D.|φA|=|φB|=|φC|
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A.300
B.70.7
C.100
D.173.2
圖10-47所示對(duì)稱(chēng)三相電路中,若已知相電流AB=1∠0°A,則線(xiàn)電流B等于()A。
A.∠-150°
B.∠-90°
C.∠-120°
D.∠150°
圖10-46所示電路的諧振頻率應(yīng)為()。
A.1/LC
B.0.5/LC
C.2/LC
D.4/LC
圖10-45所示電路中,已知R=10Ω,ωL=5Ω,1/ωC=5Ω。若I=0.1A,則U等于()V。
A.0.5
B.1/
C.1
D.2
圖10-44所示正弦交流電路中,已知R=8Ω,ωL=12Ω,1/ωC=6Ω,則該電路的功率因數(shù)等于()。
A.0.6
B.0.8
C.0.75
D.0.25
A、超前30°
B、超前60
C、滯后30°
D、滯后60°
圖10-42所示正弦交流電路中,已知電流有效值I=5A,IC=8A,IL=3A;方框N部分的(復(fù))阻抗Z=(2+j2)Ω;電路消耗的總功率為200W,則總電壓有效值U為()V。
A.40
B.20
C.20
D.0
圖10-41所示正弦交流電路中,已知=100∠0°,R=ωL=1/ωC=10Ω,則C等于()A。
A.0
B.5∠π/2
C.10∠π/2
D.10∠-π/2
圖10-40所示正弦交流電路,已知=1∠0°A,則圖中為()A。
A.0.8∠53.1°
B.0.6∠53.1°
C.0.8∠36.9°
D.0.6∠36.9°
圖10-39所示無(wú)源二端網(wǎng)絡(luò)N的(復(fù))導(dǎo)納Y=∠-45°S,則其等效串聯(lián)電路中的元件為()
A.R=1Ω,ωL=1Ω
B.R=0.5Ω,ωL=0.5Ω
C.R=1Ω,1/ωC=1Ω
D.R=0.5Ω,1/ωC=0.5Ω
最新試題
如圖10-80所示,平行板電容器中填充介質(zhì)的電導(dǎo)率γ=1×10-7S/m,極板面積S=0.6m2,極板間距離d=3cm,則該電容器的漏電阻為()。
在R、L串聯(lián)電路中,激勵(lì)信號(hào)產(chǎn)生的電流響應(yīng)(零狀態(tài)響應(yīng))iL(t)中()。
在平行板電容器中,有兩層導(dǎo)電媒質(zhì)(圖10-81),它們的電導(dǎo)率分別是γ1=1×10-9S/m,γ2=1×10-8S/m,極板面積S=0.66m2,每層介質(zhì)厚度d=0.6cm,則電容器的漏電導(dǎo)G=()S。
如圖10-79所示,一個(gè)直徑為1m的球形金屬接地極,深埋于電導(dǎo)率為σ=1.91×10-2S/m的土壤中,該接地極的接地電阻為()Ω。
均勻傳輸線(xiàn)的原參數(shù):R0=6.5Ω/km,L0=2.29mH/km,C0=5.22×103pF/km,C0=0.5×10-6S/km,則傳輸線(xiàn)在頻率為1000Hz時(shí)的傳播速度v+、波長(zhǎng)λ分別為()。
如圖10-76所示,圖中平板電容器的上部空間填充介電系數(shù)為ε0的介質(zhì),所對(duì)應(yīng)的極板面積為S0,下部介質(zhì)的介電系數(shù)為ε1,所對(duì)應(yīng)的極板面積為S1,極板的間距為d,該電容器的電容量為()。
如圖10-78所示,一個(gè)圓柱形電容器中有兩層同軸圓柱形均勻電介質(zhì),內(nèi)導(dǎo)體半徑R1=1cm,外導(dǎo)體半徑R3=4cm,內(nèi)層介質(zhì)介電系數(shù)為ε1,厚度為1cm,外層介質(zhì)介電系數(shù)為ε2,厚度為2cm,內(nèi)外層導(dǎo)體間的電位差為1000V(以外導(dǎo)體為參考點(diǎn))。假如兩層電介質(zhì)內(nèi)最大電場(chǎng)強(qiáng)度相等,則外層2介質(zhì)上的電位差為()V。
在圖10-85的區(qū)域中分布有兩種媒質(zhì),它們的磁導(dǎo)率分別為μ1=4μ,μ2=3μ0,在外部作用下交界面上A點(diǎn)下部磁感應(yīng)強(qiáng)度為B2=12i+16j,則A點(diǎn)上部的磁感應(yīng)強(qiáng)度B1為()。
如下幾種說(shuō)法,正確的有()。
如圖10-75所不,兩無(wú)限大平行帶電平板,它們帶面密度為σ的異號(hào)電荷,兩板間填充介電系數(shù)為ε的介質(zhì)。這兩個(gè)帶電平板間的電場(chǎng)強(qiáng)度和兩板間的電壓U分別為()。