真空中有一載流I=500A的無限長直導線（圖10-84），距該導線1m的A點處的磁感應強度B的大小為（）T。

電真空中無限長、半徑為a的帶電圓筒上電荷面密度為σ（σ是常數(shù)），則圓筒內(nèi)與軸線相距r處的電場強度為（）。

在R、L串聯(lián)電路中，激勵信號產(chǎn)生的電流響應（零狀態(tài)響應）iL（t）中（）。

如圖10-74所示，真空中有一無限大帶電平板，其上電荷密度為σ，在與其相距x的A點處電場強度為（）。

半徑R0=0．5m的半球形接地電極，淺埋于電導率為γ=1．91×10-2S／m的土壤中（圖10-82），該半球電極的接地電阻為（）Ω。

在平行板電容器中，有兩層導電媒質(zhì)（圖10-81），它們的電導率分別是γ1=1×10-9S／m，γ2=1×10-8S／m，極板面積S=0．66m2，每層介質(zhì)厚度d=0．6cm，則電容器的漏電導G=（）S。

在圖10-85的區(qū)域中分布有兩種媒質(zhì)，它們的磁導率分別為μ1=4μ，μ2=3μ0，在外部作用下交界面上A點下部磁感應強度為B2=12i+16j，則A點上部的磁感應強度B1為（）。

如圖10-72所示，真空中有一個半徑為a的帶電金屬球，其電荷量為q，帶電球內(nèi)的電場為（）。

真空中有一個半徑為a的金屬球，其電容為（）。

圖10-63所示電路u（0-）=0V，uC2（0-）=10V，當t圖10-63題10-110圖=0時閉合開關S后，uC2應為（）V。以上各式中τ=2us。