A.直接與距離射源的距離平方成正比
B.直接與物質(zhì)的厚度成正比
C.與物質(zhì)中產(chǎn)生的散射量成反比
D.與物質(zhì)厚度成指數(shù)比
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A.并不固定
B.隨管電壓變化
C.隨管電壓的增高而減小
D.以上都是
A.康普頓效應(yīng)
B.電子對生成
C.光電效應(yīng)
D.吸收
A.隨作用物質(zhì)的原子序數(shù)增加而增加
B.隨作用物質(zhì)的原子序數(shù)增加而降低
C.隨作用物質(zhì)的原子序數(shù)減低而增加
D.隨輻射線的強(qiáng)度降低而增加
A.10KeV-500KeV
B.100KeV-10Mev
C.1.02MeV以上
D.10KeV以下
A.10KeV-500KeV
B.100KeV-10MeV
C.1.02Mev
D.10KeV以上
A.使受測試件發(fā)射電子
B.射線受散射影響底片品質(zhì)
C.增加安全顧慮
D.以上都是
A.hv小于εj
B.hv大于εj
C.hv遠(yuǎn)大于εj
D.hv大于1.02Mev
A.能量為0.2MeV的單能射線
B.能量高于0.2MeV的所有射線成分
C.最大能量為0.2MeV的白色X射線束
D.平均能量為0.2MeV的X射線
A.10
B.20
C.30
D.40
最新試題
一個(gè)均勻的輻射光束強(qiáng)度為I0的射線，穿過一個(gè)厚度為X的物質(zhì)，其強(qiáng)度降低量為I，可用I=-μI0X表示，μ為比例常數(shù)，此式代表什么現(xiàn)象（）
最容易發(fā)生光電效應(yīng)的射線能量為（）
康普頓效應(yīng)對射線檢測的影響包括（）
使用變型波檢測的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是（）
底片清晰度與增感屏顆粒度的關(guān)系是（）
在筒身外壁做曲面周向探傷時(shí)（r、R為簡體的內(nèi)、外徑），斜探頭（β為折射角）的臨界角應(yīng)滿足（）
對于鉬靶X射線管，在管電壓低于（）千伏時(shí)是不會(huì)產(chǎn)生特征X射線的。
最容易發(fā)生康普頓效應(yīng)的射線能量為（）
當(dāng)射線穿透任何一物體時(shí)，部分被物體吸收，部分則穿透該物體，還有一部分則被構(gòu)成該物的原子內(nèi)電子向各方面散射，此散射為（）
以下哪一種措施不能減小上表面盲區(qū)的影響（）