A.一般常用氣體的平均電離能約為3eV
B.對(duì)同種氣體，不同種類或能量的帶電粒子的平均電離能會(huì)有顯著不同
C.在沉積能量情況清楚時(shí)，平均電離能可以用于計(jì)算大致的載流子數(shù)目
D.平均電離能與氣體的氣壓存在正比關(guān)系
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A.入射的粒子將能量傳給氣體分子，產(chǎn)生電離或激發(fā)，進(jìn)而產(chǎn)生載流子
B.通過軔致輻射產(chǎn)生的低能X射線，對(duì)載流子基本沒有貢獻(xiàn)，所以在任何實(shí)驗(yàn)中都不需要考慮此過程
C.γ射線需要先產(chǎn)生帶電粒子才能夠沉積能量，產(chǎn)生載流子
D.如果中子能與探測(cè)器內(nèi)的氣體發(fā)生核反應(yīng)產(chǎn)生帶電粒子，則可以沉積能量，產(chǎn)生載流子
A.電子
B.離子
C.氣體分子
D.電子-離子對(duì)
A.G-M計(jì)數(shù)管工作在有限正比區(qū)
B.G-M計(jì)數(shù)管可以用來測(cè)量入射粒子的能量
C.自熄對(duì)于提升G-M計(jì)數(shù)管的時(shí)間響應(yīng)有重要意義
D.G-M計(jì)數(shù)管的死時(shí)間屬于擴(kuò)展型死時(shí)間
A.碰撞電離只有電子能完成，離子不能
B.光子反饋會(huì)形成新的雪崩過程，增大信號(hào)，所以不需要控制
C.電流脈沖I（t）的形狀一定，與入射粒子的位置無關(guān)
D.測(cè)量一個(gè)信號(hào)的時(shí)間在μs級(jí)，可獲得快的時(shí)間響應(yīng)
A.輸出信號(hào)通常為直流電流信號(hào)或電壓信號(hào)
B.累計(jì)電離室不能測(cè)量入射粒子的數(shù)量
C.累計(jì)電離室和脈沖電離室是兩種測(cè)量原理不同的氣體探測(cè)器
D.累計(jì)電離室存在一定的線性范圍，超出范圍則輸出幅度與入射粒子流強(qiáng)度不成正比
A.飽和特性曲線用于描述脈沖幅度與射線強(qiáng)度的關(guān)系
B.坪特性曲線用于描述計(jì)數(shù)率與工作電壓的關(guān)系
C.對(duì)于帶電粒子或不帶電粒子，本征探測(cè)效率小于1的原因是一樣的
D.分辨時(shí)間主要取決于輸出電路的參數(shù)，與放大器等后續(xù)電子學(xué)無關(guān)
A.能量分辨率反映了譜儀對(duì)不同入射粒子能量的分辨能力
B.能量分辨率定義為峰的半寬度除以峰位的能量
C.能量分辨率的單位為能量單位，常用的有MeV等
D.氣體探測(cè)器能量分辨率的計(jì)算需要用到法諾因子
A.因?yàn)槭请娮用}沖電離室，電路成型過程也有隨機(jī)性引入
B.電離效應(yīng)產(chǎn)生載流子會(huì)引入隨機(jī)性
C.設(shè)計(jì)更精密的探測(cè)器可以消除能譜峰的離散
A.中央電極絲可以是陽極也可以是陰極
B.不均勻電場(chǎng)的引入是為了降低電離位置對(duì)脈沖信號(hào)幅度的影響
C.電位設(shè)置、電離室半徑、中央電極絲半徑?jīng)Q定雪崩的大致范圍
D.內(nèi)部漂移電場(chǎng)是不均勻的
A.離子脈沖電離室能準(zhǔn)確測(cè)量入射粒子能量
B.離子脈沖電離室不能實(shí)現(xiàn)高計(jì)數(shù)率
C.電子脈沖電離室沒有高信噪比
D.電子脈沖電離室能實(shí)現(xiàn)高計(jì)數(shù)率
最新試題
下列對(duì)中子與原子核的反應(yīng)截面的描述不正確的是（）。
測(cè)量厚樣品α源，下列說法正確的是（）。
對(duì)偶然符合描述正確的是（）。
下列關(guān)于反應(yīng)堆中子源的描述錯(cuò)誤的是（）。
軔致輻射對(duì)γ能譜的影響，描述錯(cuò)誤的是（）。
下列哪項(xiàng)不屬于中子探測(cè)方法？（）
下列對(duì)中子慢化的描述正確的是（）。
下列關(guān)于同位素源的特點(diǎn)的描述不正確的是（）。
下列對(duì)γ能譜的描述，錯(cuò)誤的是（）。
關(guān)于中子的彈性、非彈性散射，下列說法錯(cuò)誤的是（）。