A.鈷-60γ射線
B.高能X射線
C.質(zhì)子束
D.重離子束
E.電子線
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.<±1%
B.<±3%
C.<±5%
D.<±7%
E.<±10%
A.胚胎細(xì)胞、轉(zhuǎn)化細(xì)胞、成熟細(xì)胞
B.干細(xì)胞、轉(zhuǎn)化細(xì)胞、成熟細(xì)胞
C.原始細(xì)胞、分裂細(xì)胞、成熟細(xì)胞
D.胚胎細(xì)胞、分裂細(xì)胞、成熟細(xì)胞
E.干細(xì)胞、分裂細(xì)胞、成熟細(xì)胞
A.無(wú)關(guān)
B.成正比
C.成反比
D.平方成正比
E.平方成反比
A.靶區(qū)適合度定義為處方劑量與計(jì)劃靶區(qū)表面相交的處方劑量面包括的體積與對(duì)應(yīng)的臨床靶區(qū)體積之比
B.對(duì)圓形或橢圓形靶區(qū),旋轉(zhuǎn)照射野的靶區(qū)適合度最差
C.對(duì)圓形靶區(qū),多野交角照射比旋轉(zhuǎn)照射的靶區(qū)適合度更好
D.對(duì)矩形靶區(qū),沿長(zhǎng)、短邊布置的兩對(duì)對(duì)穿野的靶區(qū)適合度比三野交角照射好
E.當(dāng)靶區(qū)表面沿射野方向到皮膚表面的有效深度呈一維線性變化時(shí),兩野垂直交角加楔形板亦可取得較好的靶區(qū)適合度
A.10mSv
B.20mSv
C.50mSv
D.100mSv
E.500mSv
A.小野三維集束單次大劑量
B.小野三維集束單次小劑量
C.小野三維集束多次大劑量
D.小野三維集束多次小劑量
E.大野三維集束多次大劑量
A.指型電離室
B.半導(dǎo)體電離室
C.膠片
D.熱釋光劑量計(jì)
E.凝膠劑量計(jì)
A.X射線和電子線
B.X射線和β射線
C.X射線和γ射線
D.α射線和γ射線
E.X射線和α射線
A.包括遮線門、擋塊、補(bǔ)償器、MLC、楔形板
B.由擋塊、組織填充物組成
C.組織異質(zhì)性或不均勻修正一般用于解決在大的均勻水體模測(cè)量的標(biāo)準(zhǔn)射野與實(shí)際病人之間差異的問(wèn)題
D.通過(guò)采用中心軸和離軸的劑量數(shù)據(jù)集,使用0野的TAR和計(jì)算深度的散射空氣比,將射野的原射線與散射線組分分開來(lái)計(jì)算不規(guī)則射野內(nèi)感興趣點(diǎn)劑量
E.能估算指定器官的劑量反應(yīng),并幫助評(píng)估劑量分割和體積效應(yīng)
A.初級(jí)離子數(shù)與探測(cè)體積內(nèi)帶電粒子軌跡上沉積的能量成正比
B.適合測(cè)量低強(qiáng)度輻射場(chǎng),每次相互作用中收集到的電荷量與探測(cè)器內(nèi)氣體中沉積的能量成正比
C.測(cè)量?jī)x的壁內(nèi)側(cè),通常附加一層硼化合物,或者測(cè)量?jī)x內(nèi)充BF3氣體
D.適用于泄漏測(cè)試和放射性污染的探測(cè)
E.有很高的體積電阻抗(如CdS、CdSe),該類探測(cè)器在輻射場(chǎng)中接受照射時(shí)工作原理與固態(tài)電離室相似
最新試題
兩種不同深度處的百分深度劑量比值稱為射線質(zhì)指數(shù)或能量指數(shù)。
對(duì)加速器射野的對(duì)稱性和平坦度的檢查應(yīng)每月兩次。
檢查燈光野與射野的一致性通常用膠片法。
半影為射野邊緣劑量隨離開中心軸距離增加而急劇變化的范圍。
帶電粒子入射到物體時(shí),沒(méi)有確定的射程。
電磁掃描調(diào)強(qiáng)不僅具有X 射線光子的利用率高、治療時(shí)間短的優(yōu)點(diǎn),而且可實(shí)現(xiàn)電子束、質(zhì)子束的調(diào)強(qiáng)治療。
利用圓形小野旋轉(zhuǎn)集束照射是X(γ)射線SRT(SRS)的基本特征。
實(shí)際患者治療時(shí),無(wú)環(huán)重定位技術(shù)的靶點(diǎn)位置總的治療精度稍劣于有環(huán)技術(shù)。
百分深度劑量受照射野面積的影響。
組織最大劑量比TMR 和源皮距的關(guān)系是()。