A.計(jì)算DRR
B.進(jìn)行劑量計(jì)算
C.使圖像更清晰
D.便于勾畫輪廓
E.增加像素單元數(shù)
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A.基礎(chǔ)環(huán)
B.面罩
C.定位框架
D.擺位框架
E.CT/MRI適配器
A.K層
B.L層
C.M層
D.N層
E.O層
A.射野均整度
B.射野對(duì)稱性
C.射線的平均能
D.射線的輻射質(zhì)
E.射線的穿透性
A.處方劑量12~25Gy:病灶越大,處方劑量越小
B.主要適用于功能性失調(diào)、血管畸形、一些良性腫瘤和遠(yuǎn)處轉(zhuǎn)移病灶的治療
C.偶爾用于惡性顱內(nèi)腫瘤常規(guī)放射治療后的劑量推量
D.處方劑量為0.5~2Gy:病灶越大,處方劑量越小
E.可以應(yīng)用于腦垂體瘤的治療
A.校準(zhǔn)系數(shù)
B.半值深度
C.水表面的平均能量
D.實(shí)際射程
E.水下的平均能量
A.1~4MV
B.4~8MV
C.4-10MV
D.10~15MV
E.18~25MV
A.產(chǎn)生于電子在原子殼層間躍遷
B.產(chǎn)生于電子與核的庫侖相互作用
C.產(chǎn)生于核躍遷
D.產(chǎn)生于正負(fù)電子湮滅
E.正電子和負(fù)電子碰撞
A.2.0-5.0cm
B.5.0-10.0cm
C.10.0-20.0cm
D.20.0-25.0cm
E.25.0-30.0cm
A.化學(xué)劑量法
B.電離室法
C.熱釋光法
D.半導(dǎo)體法
E.膠片法
A.量熱器
B.電離室
C.熱釋光
D.半導(dǎo)體
E.膠片
最新試題
準(zhǔn)直器所產(chǎn)生的散射線對(duì)劑量的貢獻(xiàn)主要源于二級(jí)準(zhǔn)直器。
目前靶區(qū)劑量的精確性規(guī)定應(yīng)達(dá)到()。
光電效應(yīng)時(shí)入射X(γ)光子的能量一部分轉(zhuǎn)化為次級(jí)電子動(dòng)能,另一部分為特征X 射線能量。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí),應(yīng)采用雙平面插植。
低LET射線的RBE值()1.0,高LET射線的RBE值()2.0。
帶電粒子與物質(zhì)的一次相互作用可以損失其能量的全部或很大一部分。
直線加速器使用的射野最大為()。
治療證實(shí)是治療準(zhǔn)確執(zhí)行的重要保證,包括驗(yàn)證記錄系統(tǒng),射野影像系統(tǒng),活體劑量測(cè)量系統(tǒng)。
影響靶點(diǎn)位置精確度的因素包括機(jī)械精度,定位精度和擺位精度。
隨能量增大,光電效應(yīng)發(fā)生的概率迅速減小。