A、化學(xué)劑量計(jì)
B、電離室
C、熱釋光
D、半導(dǎo)體
E、膠片
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A、優(yōu)點(diǎn):有良好的精確性和準(zhǔn)確性;缺點(diǎn):需要提供高電壓
B、優(yōu)點(diǎn):非常薄,不擾動(dòng)射束;缺點(diǎn):需要用電離室劑量計(jì)作適當(dāng)校準(zhǔn)
C、優(yōu)點(diǎn):能做成不同形狀;缺點(diǎn):容易丟失讀數(shù)
D、優(yōu)點(diǎn):高靈敏度,不需要外置偏壓;缺點(diǎn):累積劑量會(huì)改變靈敏度
E、優(yōu)點(diǎn):能夠作為點(diǎn)劑量測(cè)量;缺點(diǎn):需要暗室和處理設(shè)備
A、腫瘤前表面的區(qū)域
B、腫瘤中心的區(qū)域
C、腫瘤后表面的區(qū)域
D、最大劑量深度點(diǎn)的區(qū)域
E、電離室中心的區(qū)域
A、3500cGy
B、5000cGy
C、6000cGy
D、6500cGy
E、10000cGy
A、MR圖像是像素空間定位
B、MR圖像像素灰度表示組織的質(zhì)子密度或熱像信息
C、核磁共振梯度磁場(chǎng)不均勻
D、MR圖像偽影干擾
E、MR圖像不能提供定位標(biāo)記
A、百分深度劑量
B、組織空氣比
C、散射空氣比
D、組織體模比
E、組織最大比
A、百分深度劑量
B、組織空氣比
C、散射空氣比
D、組織體模比
E、組織最大比
A、量熱法
B、化學(xué)劑量計(jì)法
C、電離室法
D、熱釋光法
E、膠片法
A、直線
B、指數(shù)曲線
C、S形
D、雙曲線
E、V形
A、α
B、β
C、αβ
D、α/β
E、α+β
A、淺層X(jué)線
B、高能X線
C、高壓X線
D、深部X線
E、診斷X線
最新試題
組織最大劑量比TMR 和源皮距的關(guān)系是()。
百分深度劑量受照射野面積的影響。
質(zhì)量保證和質(zhì)量控制的簡(jiǎn)稱(chēng)分別為QA、QC。
電磁掃描調(diào)強(qiáng)不僅具有X 射線光子的利用率高、治療時(shí)間短的優(yōu)點(diǎn),而且可實(shí)現(xiàn)電子束、質(zhì)子束的調(diào)強(qiáng)治療。
對(duì)加速器射野的對(duì)稱(chēng)性和平坦度的檢查應(yīng)每月兩次。
源皮距越小,百分深度劑量越大。
影響靶點(diǎn)位置精確度的因素包括機(jī)械精度,定位精度和擺位精度。
帶電粒子入射到物體時(shí),沒(méi)有確定的射程。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
電離室型劑量?jī)x在每次測(cè)量前必需對(duì)氣溫和氣壓進(jìn)行修正。