單項(xiàng)選擇題用氘核轟擊鈹靶，產(chǎn)生的是（）

A.質(zhì)子
B.快中子
C.π負(fù)介子
D.氮離子
E.氖離子


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1.單項(xiàng)選擇題確定平行板電離室的空氣吸收劑量因子一般采用的方法是（）

A.電子束校準(zhǔn)法
B.鈷-60校準(zhǔn)法
C.空氣中直接校準(zhǔn)
D.不同能量分別校準(zhǔn)
E.水中直接校準(zhǔn)

2.單項(xiàng)選擇題平行板電離室的優(yōu)點(diǎn)是（）

A.腔內(nèi)散射擾動(dòng)效應(yīng)小
B.有效測(cè)量點(diǎn)易于確定
C.對(duì)電子束吸收劑量的校準(zhǔn)精度高
D.對(duì)沿線束入射方向劑量梯度變化較大的區(qū)域有較高的測(cè)量精度
E.以上各項(xiàng)

3.單項(xiàng)選擇題放射性活度的單位為Bq，它與原單位居里Ci的關(guān)系是（）

A.1Bq=2.703×10-5Ci
B.1Bq=2.703×10-7Ci
C.1Bq=2.703×10-11Ci
D.1Bq=3.703×10-5Ci
E.1Bq=3.703×10-7Ci

4.單項(xiàng)選擇題能量注量的法定單位是（）

A.J
B.J/m2
C.J/m2/S
D.Mev
E.Mv

5.單項(xiàng)選擇題下列哪項(xiàng)不是重粒子（）？

A.質(zhì)子
B.快中子
C.電子
D.π負(fù)介子
E.氧離子

6.單項(xiàng)選擇題射線邊緣諸點(diǎn)分別受到面積不等的源的照射，產(chǎn)生的由高到低的劑量漸變區(qū)稱(chēng)為（）

A.幾何半影
B.穿射半影
C.散射半影
D.物理半影
E.有效半影

7.單項(xiàng)選擇題由空穴參與導(dǎo)電并形成電流的硅晶體稱(chēng)為（）硅晶體。

A.“M”型
B.“N”型
C.“L”型
D.“P”型
E.“F”型

8.單項(xiàng)選擇題與其它類(lèi)型劑量?jī)x相比，膠片劑量?jī)x的優(yōu)點(diǎn)除外哪項(xiàng)（）

A.可同時(shí)測(cè)量一個(gè)平面內(nèi)所有點(diǎn)劑量
B.可以減少照射時(shí)間和測(cè)量時(shí)間
C.有很高的空間分辨率
D.可以測(cè)量不均勻固體介質(zhì)中的劑量分布
E.靈敏度不受射線能量的影響

9.單項(xiàng)選擇題如以r表示電離室的半徑，則高能電子束的有效測(cè)量點(diǎn)位于（）

A.0.1r
B.0.3r
C.0.5r
D.0.75r
E.幾何中心

10.單項(xiàng)選擇題與電離室的復(fù)合效應(yīng)無(wú)關(guān)的是（）

A.電離室的幾何尺寸
B.工作電壓的選擇
C.正離子產(chǎn)生的速率
D.負(fù)離子產(chǎn)生的速率
E.電離輻射的入射方向