單項選擇題關(guān)于不對稱射野，下列描述錯誤的是（）

A.不對稱射野是指射野中心軸線偏離線束中心軸的射野
B.IEC1217號標準規(guī)定，當葉片位于不對稱射野坐標系的正方向時，葉片位置為正
C.不對稱射野由獨立準直器的四個葉片形成
D.不對稱射野用于共面相鄰野銜接時，會在相鄰區(qū)出現(xiàn)劑量不均勻現(xiàn)象
E.不對稱射野可以實施彎曲形靶區(qū)的等中心旋轉(zhuǎn)切線照射技術(shù)


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1.單項選擇題腫瘤組織內(nèi)的克隆源性細胞數(shù)，通常用腫瘤的（）表示。

A.SF2
B.Tpot
C.T分期
D.N分期
E.M分期

3.單項選擇題關(guān)于巴黎系統(tǒng)的插植基本規(guī)則，描述錯誤的是（）

A.所有的放射源的線比釋動能率相等
B.放射源是相互平行的直線源
C.插植時各直線源強度及長度相等
D.各源的中心在同一平面，即中心平面
E.多平面插植放射源排列為長方形或等邊三角形

6.單項選擇題采用等中心方法，拍攝兩張互相垂直的影象片，此種放射源的定位技術(shù)稱為（）

A.正交技術(shù)
B.立體平移技術(shù)
C.立體交角技術(shù)
D.立體斜交技術(shù)
E.旋轉(zhuǎn)技術(shù)

9.單項選擇題近距離照射中，距離源1cm和3cm之間的劑量變化為（）

A.1倍
B.3倍
C.6倍
D.9倍
E.16倍

10.單項選擇題關(guān)于高能電子束的百分深度劑量，描述錯誤的是（）

A.劑量建成區(qū)
B.低劑量坪區(qū)
C.高劑量坪區(qū)
D.劑量跌落區(qū)
E.X射線污染區(qū)