單項(xiàng)選擇題

砌焦?fàn)t用硅磚在烘爐過(guò)程中，硅磚中的SiO2發(fā)生四個(gè)晶形轉(zhuǎn)化點(diǎn)，其中（）的溫度范圍內(nèi)體積變化最大。

A、117℃
B、163℃
C、180~270℃
D、573℃


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1.單項(xiàng)選擇題檢查整個(gè)煉焦車間全面工作情況的系數(shù)是（）。

A、K1
B、K2
C、K3

2.單項(xiàng)選擇題結(jié)焦時(shí)間主要是指（）。

A.推焦桿剛伸入炭化室內(nèi)接觸焦餅平到下次出焦時(shí)推焦桿接觸焦餅的時(shí)間間隔
B.平煤桿剛伸入炭化室內(nèi)接觸焦餅平到下次出焦時(shí)推焦桿接觸焦餅的時(shí)間間隔
C.推焦桿剛伸入炭化室內(nèi)接觸焦餅平到下次平煤桿剛伸入炭化室內(nèi)的時(shí)間間隔
D.平煤桿剛伸入炭化室內(nèi)接觸焦餅平到下次平煤桿剛伸入炭化室內(nèi)時(shí)間間隔

4.單項(xiàng)選擇題空氣中CO氣體含達(dá)（）時(shí)便有害于人體。

A、0.02%
B、0.04%
C、0.06%
D、0.4%

5.單項(xiàng)選擇題高爐煤氣無(wú)色、無(wú)味、有毒，毒性氣體主要是（）。

A、H2S
B、HCN
C、SO2
D、CO

7.多項(xiàng)選擇題焦?fàn)t的傳熱方式有（）。

A、傳導(dǎo)傳熱
B、對(duì)流傳熱
C、輻射傳熱

8.單項(xiàng)選擇題下面對(duì)標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)描述正確的是（）。

A、規(guī)定溫度為0℃（即T=273.15K），壓力為760毫米水銀柱這個(gè)狀態(tài)為標(biāo)狀態(tài)
B、規(guī)定溫度為20℃（即T=293.15K），壓力為760毫米水銀柱這個(gè)狀態(tài)為標(biāo)狀態(tài)
C、規(guī)定溫度為0℃（即T=273.15K），壓力為0毫米水銀柱這個(gè)狀態(tài)為標(biāo)狀態(tài)
D、規(guī)定溫度為20℃（即T=293.15K），壓力為0毫米水銀柱這個(gè)狀態(tài)為標(biāo)狀態(tài)