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問答題列表比較BJT、SCR、GTO、P-MOSFET、IGBT、MCT六種可控開關(guān)器件對觸發(fā)（或驅(qū)動）電流（或電壓）波形的要求，及主要優(yōu)缺點。

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1.問答題作為開關(guān)使用時P-MOSFET器件主要的優(yōu)缺點是什么？

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2.問答題說明P-MOSFET柵極電壓V_GS控制漏極電流I_D的基本原理。

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3.問答題額定電流為10A的晶閘管能否承受長期通過15A的直流負載電流而不過熱？

參考答案：額定電流為10A的晶閘管能夠承受長期通過15A的直流負載電流而不過熱。因為晶閘管的額定電流I_R是這...

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4.問答題直流電源電壓V_S＝220V，經(jīng)晶閘管T對負載供電。負載電阻R＝20Ω，電感L=1H，晶閘管擎住電流I_L=55mA，維持電流I_H=22mA，用一個方波脈沖電流觸發(fā)晶閘管。為什么晶閘管的擎住電流I_L比維持電流I_H大？

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5.問答題直流電源電壓V_S＝220V，經(jīng)晶閘管T對負載供電。負載電阻R＝20Ω，電感L=1H，晶閘管擎住電流I_L=55mA，維持電流I_H=22mA，用一個方波脈沖電流觸發(fā)晶閘管。如果晶閘管已處于通態(tài)，在電路中增加一個1kΩ的電阻能否使晶閘管從通態(tài)轉(zhuǎn)入斷態(tài)？

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6.問答題直流電源電壓V_S＝220V，經(jīng)晶閘管T對負載供電。負載電阻R＝20Ω，電感L=1H，晶閘管擎住電流I_L=55mA，維持電流I_H=22mA，用一個方波脈沖電流觸發(fā)晶閘管。如果負載電阻R＝20Ω，觸發(fā)脈沖的寬度為300μs，可否使晶閘管可靠地開通？

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7.問答題電力晶體管BJT的四個電壓值BV_CEX、BV_CES、BV_CER和BV_CEO的定義是什么？其大小關(guān)系如何？

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8.問答題說明半導(dǎo)體電力三極管BJT處于通態(tài)、斷態(tài)的條件。

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9.問答題說明二極管的反向恢復(fù)特性。

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10.問答題說明半導(dǎo)體PN結(jié)單向?qū)щ姷幕驹砗挽o態(tài)伏-安特性。

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