單項(xiàng)選擇題英文縮寫“CCD”是一種（）。

A.影像板
B.平板探測器
C.薄膜晶體管
D.發(fā)光二極管
E.電荷耦合器件


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1.單項(xiàng)選擇題關(guān)于磁體類型，敘述錯(cuò)誤的是（）。

A.永磁型磁體磁場強(qiáng)度衰減極慢
B.永磁型磁體的磁場均勻性及穩(wěn)定性相對(duì)較差
C.常導(dǎo)型磁體耗電較大，產(chǎn)生較多熱量
D.常導(dǎo)型磁體的磁場均勻性及穩(wěn)定性較高
E.超導(dǎo)型磁體的磁場均勻性及穩(wěn)定性較高

2.單項(xiàng)選擇題反轉(zhuǎn)恢復(fù)序列的主要目的是（）。

A.減少組織的T2對(duì)比度
B.減少組織的T1對(duì)比度
C.增加組織的T2對(duì)比度
D.增加組織的T1對(duì)比度
E.增加組織的質(zhì)子密度對(duì)比度

3.單項(xiàng)選擇題FLAIR脈沖序列是（）。

A.快速自旋加波序列
B.穩(wěn)態(tài)梯度回波序列
C.擾相梯度回波序列
D.反轉(zhuǎn)恢復(fù)脈沖序列
E.梯度回波序列

4.單項(xiàng)選擇題K空間中，不同區(qū)域的數(shù)據(jù)與圖像質(zhì)量的關(guān)系是（）。

A.K空間的中心部分決定圖像的對(duì)比，邊緣部分決定圖像的細(xì)節(jié)
B.K空間的中心部分決定圖像的細(xì)節(jié)，邊緣部分決定圖像的對(duì)比
C.K空間的中心與邊緣部分均決定圖像的對(duì)比
D.K空間的中心與邊緣部分均決定圖像的細(xì)節(jié)
E.只有K空間的中心部分對(duì)圖像的質(zhì)量起作用

5.單項(xiàng)選擇題醫(yī)用高壓注射器注射筒的一般規(guī)格有（）。

A.5ml
B.10ml
C.200ml
D.1000ml
E.2000ml

6.單項(xiàng)選擇題影響電容電流大小的參數(shù)是（）。

A.管電壓
B.管電流
C.曝光時(shí)間
D.旋轉(zhuǎn)陽極的轉(zhuǎn)速
E.燈絲溫度

7.單項(xiàng)選擇題平均采集次數(shù)與信噪比及采集時(shí)間的相互關(guān)系為（）。

A.平均采集次數(shù)增加1倍，信噪比也增加1倍，采集時(shí)間亦增加1倍
B.平均采集次數(shù)增加1倍，信噪比增加2倍，采集時(shí)間增加1倍
C.平均采集次數(shù)增加1倍，信噪比增加2倍，采集時(shí)間增加2倍
D.平均采集次數(shù)增加1倍，信噪比增加1.41倍，采集時(shí)間增加1倍
E.平均采集次數(shù)增加1倍，信噪比增加1倍，采集時(shí)間增加2倍

8.單項(xiàng)選擇題高壓發(fā)生器的作用不包括（）。

A.產(chǎn)生并輸出高壓
B.產(chǎn)生并輸出控制電路所需的各電壓
C.產(chǎn)生并輸出燈絲加熱電壓
D.完成X線管交換
E.完成對(duì)交流高壓的整流

9.單項(xiàng)選擇題關(guān)于平面回波成像EPI序列，敘述錯(cuò)誤的是（）。

A.EPI是一種快速成像技術(shù)
B.EPI要求快速的相位編碼梯度的切換
C.EPI對(duì)頻率編碼梯度的切換要求不高
D.EPI可以是單次激發(fā)或多次激發(fā)
E.EPI可產(chǎn)生不同的對(duì)比

10.單項(xiàng)選擇題快速自旋回波序列與自旋回波的差別是（）。

A.TR比較長
B.TE比較長
C.TE比較短
D.一個(gè)TR時(shí)間內(nèi)采集多個(gè)回波，并填充在同一個(gè)K空間中
E.一個(gè)TR時(shí)間內(nèi)采集多個(gè)回波，并填充在不同的K空間中