單項(xiàng)選擇題全控橋可控整流工作狀態(tài)處在()區(qū)間為有源逆變工作狀態(tài)。

A、0°—90°
B、90°—0°
C、90°—180°
D、180°—270°


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1.單項(xiàng)選擇題選擇晶閘管的額定電壓時(shí),應(yīng)該取晶閘管上可能出現(xiàn)的最高瞬時(shí)電壓的()。

A、1倍至1.5倍
B、1.5倍至2倍
C、2倍至3倍
D、3倍至4倍

4.單項(xiàng)選擇題增大單結(jié)晶體管振蕩器中充電回路時(shí)間常數(shù),可改變輸出脈沖()。

A、頻率
B、相位
C、幅度
D、頻率和幅度

5.單項(xiàng)選擇題單結(jié)晶體管截止條件是()。

A、發(fā)射極電壓大于峰點(diǎn)電壓
B、發(fā)射極電壓小于峰點(diǎn)電壓
C、發(fā)射極電壓小于谷點(diǎn)電壓
D、發(fā)射極電壓大于谷點(diǎn)電壓

6.單項(xiàng)選擇題當(dāng)單結(jié)晶體管的發(fā)射極電壓UE升高到()時(shí),就會導(dǎo)通。

A、峰點(diǎn)電壓UP
B、谷點(diǎn)電壓UV
C、兩基極間電壓UBB

7.單項(xiàng)選擇題單結(jié)晶體管也稱()。

A、晶閘管
B、穩(wěn)壓二極管
C、續(xù)流二極管
D、雙基極二極管

8.單項(xiàng)選擇題可控硅觸發(fā)脈沖()。

A、下降沿要陡
B、上升沿要陡
C、上升沿和下降沿陡度無要求,只要有觸發(fā)脈沖就可以正常工作
D、波形無嚴(yán)格要求

10.單項(xiàng)選擇題觸發(fā)脈沖必須與晶閘管陽極電壓()。

A、同步
B、反相
C、相差90°
D、相差45°

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