A.與非門
B.或非門
C.與門
D.或門
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.與非門
B.或非門
C.與門
D.或門
A.2個
B.4個
C.8個
D.16個
A.發(fā)射結(jié)正偏置,集電結(jié)反偏置
B.發(fā)射結(jié)正偏置,集電結(jié)正偏置
C.發(fā)射結(jié)反偏置,集電結(jié)正偏置
D.發(fā)射結(jié)反偏置,集電結(jié)反偏置
A.與有用輸入端連在一起
B.懸空
C.接正電源
D.接地
A.與非門
B.或非門
C.OC門
D.三態(tài)門
A.或非
B.OC
C.三態(tài)
D.與或非
A.TTL
B.CMOS
B.NMOS
D.PMOS
A.輸出電壓與輸入電壓之間的關(guān)系數(shù)
B.輸iU電壓與輸入電流之間的關(guān)系數(shù)
C.輸出端能帶同類門的今個數(shù)
D.輸入端數(shù)
A.互為反函數(shù)
B.互為對偶式
B.相等
D.答案都不正確
A.倒相
B.邏輯乘
C.提高帶負載能力
D.提高抗干擾能力
最新試題
如果把D觸發(fā)器的輸出Q反饋連接到輸入D,則輸出Q的脈沖波形的頻率為CP脈沖頻率f的()。
小容量RAM內(nèi)部存儲矩陣的字數(shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為()
具有“有1出0、全0出1”功能的邏輯門是()
基本RS觸發(fā)器的輸入直接控制其輸出狀態(tài),所以它不能被稱為()觸發(fā)器。
與倒T形電阻網(wǎng)絡(luò)DAC相比,權(quán)電流網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器的主要優(yōu)點是消除了()對轉(zhuǎn)換精度的影響。
用1M×4的DRAM芯片通過()擴展可以獲得4M×8的存儲器。
如要將一個最大幅度為5.1V的模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號,要求輸入每變化20mV,輸出信號的最低位(LSB)發(fā)生變化,應選用()位ADC。
利用2個74LS138和1個非門,可以擴展得到1個()線譯碼器。
TTL與非門閾值電壓UT的典型值是()
DRAM4164有2根片選線(RAS和CAS)、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請判斷它的存儲容量為多少?