A.各組分在流動(dòng)相中的溶解度不同
B.各組分的化學(xué)性質(zhì)不同
C.各組分在吸附劑上的吸附能力的不同
D.各組分的揮發(fā)性不同
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A.溶出電位
B.擴(kuò)散電流
C.溶出時(shí)間
D.溶出峰電位
A.電位-體積曲線
B.電流-電位曲線
C.電流-時(shí)間曲線
D.電位-時(shí)間曲線
A.與氧化劑的種類有關(guān)
B.從最容易氧化的金屬開始逐一溶出
C.從電極電位最高的金屬開始逐一溶出
D.從氧化時(shí)間最短的開始逐一溶出
A.降低
B.升高
C.不變
D.隨機(jī)變化
A.溶出伏安曲線是溶出過程電流隨電壓變化的關(guān)系曲線
B.溶出伏安曲線是富集過程電流隨電壓變化的關(guān)系曲線
C.峰電位是定性分析的依據(jù)
D.峰電流是定量分析的依據(jù)
A.溶出伏安法具有較高的靈敏度
B.在陰極溶出伏安法中,富集過程是電氧化,溶出過程是電還原
C.在富集過程中,電極反應(yīng)產(chǎn)物常以汞齊或難溶化合物的形式被富集
D.當(dāng)陽極溶出時(shí),工作電極的電位以一定速度由正向負(fù)變化
A.結(jié)合待測物濃度選擇富集時(shí)間
B.結(jié)合工作電極性質(zhì)選擇富集時(shí)間
C.結(jié)合待測物富集電位選擇富集時(shí)間
D.結(jié)合電位掃描速度選擇富集時(shí)間
A.溶出分為全部和部分溶出兩種
B.若使用懸汞電極,則一定是全部溶出
C.溶出方式多采用線性掃描和示差脈沖
D.汞膜電極溶出峰形狀易改變,重現(xiàn)性較差
A.負(fù)0.1~0.2V
B.負(fù)0.2~0.4V
C.正0.1~0.2V
D.正0.2~0.4V
A.采用快速掃描溶出
B.攪拌溶液
C.使用懸汞電極
D.預(yù)電解
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