單項選擇題已知某半導(dǎo)體存儲芯片的地址線為12根，則此存儲器的存儲容量為（）。

A.512KB
B.1024KB
C.2048KB
D.4096KB


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1.單項選擇題長度均為幾十米的兩平行導(dǎo)線與雙絞線相比，其通頻帶寬度及數(shù)據(jù)傳輸速率為（）

A、二者相差無幾，通帶均較寬，速率均較高
B、二者相差無幾，通帶均較窄，速率均較低
C、前者通帶寬、速率高
D、前者通帶窄、速率低

2.單項選擇題匯編語言與硬件電路及CPU間的關(guān)系是（）

A、不是面向硬件電路的計算機語言，與CPU有關(guān)。
B、不是面向硬件電路的計算機語言，與CPU無關(guān)。
C、是面向硬件電路的計算機語言，與CPU有關(guān)。
D、是面向硬件電路的計算機語言，與CPU無關(guān)。

3.單項選擇題要產(chǎn)生頻率為赫茲量級至幾兆赫茲量級、頻率連續(xù)變化的正弦波信號，應(yīng)選用（）

A、RC振蕩器
B、LC三點式振蕩器
C、石英晶體振蕩器
D、鎖相環(huán)式振蕩器

5.單項選擇題為了提高放大器輸出電壓的穩(wěn)定性，并降低此放大器對前級電路的影響，應(yīng)采用的反饋方式是（）

A、電壓串聯(lián)負(fù)反饋
B、電壓并聯(lián)負(fù)反饋
C、電流串聯(lián)負(fù)反饋
D、電流并聯(lián)負(fù)反饋

6.單項選擇題與非、或非門的封門端電平（輸出端狀態(tài)僅由此端決定，與其它輸入端狀態(tài)無關(guān)）為（）

A、均為低電平0
B、均為高電平1
C、與非門為1，或非門為0
D、與非門為0，或非門為1

7.單項選擇題在共e、共b、共c三種放大電路中，輸入阻抗最高的放大器是（）

A、共e放大器
B、共b放大器
C、共e、共b放大器
D、共c放大器

8.單項選擇題一方波經(jīng)過放大器后，其前沿的上升時間變大，其主要原因可能為（）

A、放大器的上限截止頻率fH低
B、放大器的上限截止頻率fH高
C、放大器的下限截止頻率fL低
D、放大器的下限截止頻率fL高

9.單項選擇題晶體管共發(fā)射極的截止頻率fβ的定義是（）

A、β=β0時的工作頻率
B、β=0.707β0時的工作頻率
C、β=2β0時的工作頻率
D、β=1時的工作頻率

10.單項選擇題標(biāo)注為4n7的電容器，其電容值為（）

A、47pF
B、470pF
C、4700pF
D、4.7pF